杭州微纳核芯电子科技有限公司焉逢运获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州微纳核芯电子科技有限公司申请的专利一种DRAM近存封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223157514U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421950697.4，技术领域涉及：H10B80/00；该实用新型一种DRAM近存封装结构是由焉逢运;葛晓欢;陈沛毓设计研发完成，并于2024-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种DRAM近存封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种DRAM近存封装结构，包括：基板；晶圆，设置在基板上；引线，分别连接基板和晶圆；其中，晶圆上形成刻蚀；引线一端连接晶圆上刻蚀位置，引线另一端连接基板。晶圆包括第一芯片和混合键合在第一芯片上的第二芯片；其中，第一芯片为逻辑芯片或内存芯片；第二芯片不同于第一芯片，混合键合在第一芯片上；其中，当第一芯片为逻辑芯片时，第二芯片为内存芯片；当第一芯片为内存芯片时，第二芯片为逻辑芯片。解决了现有方案中封装方法成本较高，制备的封装结构中硅通孔对封装结构的设计和应力都会产生影响，也会限制片间传输宽带的问题。
本实用新型一种DRAM近存封装结构在权利要求书中公布了：1.一种DRAM近存封装结构，其特征在于，包括： 基板1； 晶圆2，设置在所述基板1上； 引线3，分别连接所述基板1和所述晶圆2； 其中，所述晶圆2上形成刻蚀；所述引线3一端连接所述晶圆2上刻蚀位置，所述引线3另一端连接所述基板1； 所述晶圆2包括第一芯片21和混合键合在所述第一芯片21上的第二芯片22； 其中，所述第一芯片21为逻辑芯片或内存芯片；所述第二芯片22不同于所述第一芯片21，混合键合在所述第一芯片21上；其中，当所述第一芯片21为逻辑芯片时，所述第二芯片22为内存芯片；当所述第一芯片21为内存芯片时，所述第二芯片22为逻辑芯片。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州微纳核芯电子科技有限公司，其通讯地址为：311200 浙江省杭州市萧山区宁围街道永晖路233号杭州湾智慧谷大厦21楼2104室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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