通威太阳能(成都)有限公司陈杨获国家专利权
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龙图腾网获悉通威太阳能(成都)有限公司申请的专利太阳电池及其制备方法、光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119133294B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411044983.9，技术领域涉及：H10F10/14；该发明授权太阳电池及其制备方法、光伏组件是由陈杨;范建彬;孟夏杰设计研发完成，并于2024-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳电池及其制备方法、光伏组件在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳电池领域，公开一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，太阳电池包括：硅基底；设置在硅基底上的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层掺杂有N型导电元素，第二半导体层掺杂有P型导电元素；第一电极，第一电极通过多个第一导电结构与第一半导体层电性连接；第二电极，第二电极通过多个第二导电结构与第二半导体层电性连接；其中，第一导电结构的密度大于第二导电结构的密度。该太阳电池能够提高载流子传输的效率，减小复合，降低散射。
本发明授权太阳电池及其制备方法、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳电池，其特征在于，所述太阳电池包括： 硅基底； 设置在所述硅基底上的第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层掺杂有N型导电元素，所述第二半导体层掺杂有P型导电元素； 第一电极，所述第一电极通过多个第一导电结构与所述第一半导体层电性连接； 第二电极，所述第二电极通过多个第二导电结构与所述第二半导体层电性连接； 其中，所述N型导电元素在所述第一半导体层中的掺杂浓度高于所述P型导电元素在所述第二半导体层中的掺杂浓度，所述第一导电结构的密度大于所述第二导电结构的密度； 所述第一导电结构在所述第一半导体层的投影尺寸大于或者等于所述第二导电结构在所述第二半导体层的投影尺寸，任一所述第一导电结构在所述第一半导体层的投影尺寸为100nm～2000nm，任一所述第二导电结构在所述第二半导体层的投影尺寸为100nm～1000nm。
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