买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉重庆云潼科技有限公司申请的专利低温漂无运放的带隙基准电压电路、带隙基准电压的生成方法及补偿方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118732774B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411028508.2，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权低温漂无运放的带隙基准电压电路、带隙基准电压的生成方法及补偿方法是由张新宇;廖光朝;刘继平;黄洪章设计研发完成，并于2024-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本低温漂无运放的带隙基准电压电路、带隙基准电压的生成方法及补偿方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低温漂无运放的带隙基准电压电路、带隙基准电压的生成方法及补偿方法，涉及集成电路技术领域，解决了现有技术中的带隙基准电压电路运用运放进行钳位，对基准电压的精度造成影响，不能产生较高的电源抑制比的技术问题。该带隙基准电压电路包括：带隙核心电路、温度补偿电路和第一启动电路；第一启动电路的输出端与带隙核心电路的输入端相连；温度补偿电路的输出端与带隙核心电路的输入端相连。本发明采用无运放结构，避免噪声的引入，避免失调电压对带隙基准电压Vref造成影响；并且采用电流镜结构为带隙核心电路进行供电，提高电源抑制比；加入温度补偿电路为带隙核心电路进行温度补偿，提高带隙的精度，在宽温度范围内实现低温漂。

本发明授权低温漂无运放的带隙基准电压电路、带隙基准电压的生成方法及补偿方法在权利要求书中公布了：1.一种低温漂无运放的带隙基准电压电路，其特征在于，包括：带隙核心电路、温度补偿电路和第一启动电路；所述第一启动电路的输出端与所述带隙核心电路的输入端相连；所述温度补偿电路的输出端与所述带隙核心电路的输入端相连； 所述带隙核心电路包括电流镜结构和带隙核心结构； 所述电流镜结构包括PMOS管PM1、PMOS管PM2、NMOS管NM1和NMOS管NM2； 所述PMOS管PM1和PMOS管PM2的源极均与电源相连，所述PMOS管PM2的栅极与所述PMOS管PM1的栅极和漏极相连，PMOS管PM1的栅极和漏极与所述NMOS管NM1的漏极和第一启动电路相连；所述PMOS管PM2的漏极与所述NMOS管NM2的栅极和漏极相连；所述NMOS管NM2的栅极与所述NMOS管NM1的栅极相连；所述NMOS管NM1的源极与所述带隙核心结构相连，所述NMOS管NM2的源极与所述带隙核心结构相连；所述NMOS管NM1的漏极与所述第一启动电路相连； 所述带隙核心结构包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4和电阻R5； 所述三极管Q1的基极和集电极通过电阻R2与所述三极管Q2的基极相连，所述三极管Q1的基极和集电极与所述电阻R3的一端相连，所述电阻R3的另一端分别与所述温度补偿电路、电阻R5的一端和电阻R4的一端相连，所述电阻R5的另一端分别与所述NMOS管NM1的源极和第一启动电路相连； 所述三极管Q2的集电极与所述电阻R4的另一端和三极管Q3的基极相连； 所述三极管Q3的集电极通过电阻R6与所述MOS管NM2的源极相连； 所述三极管Q1和三极管Q3的发射极直接接地；所述三极管Q2通过所述电阻R1接地。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人重庆云潼科技有限公司，其通讯地址为：401133 重庆市江北区鱼嘴镇永和路39号6层608室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。