杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利具有高抗短路能力的SiC VDMOSFET结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223157522U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421679137.X，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型具有高抗短路能力的SiC VDMOSFET结构是由许一力设计研发完成，并于2024-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有高抗短路能力的SiC VDMOSFET结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及金属氧化物半导体场效应晶体管技术领域，且公开了具有高抗短路能力的SiCVDMOSFET结构，包括源极、栅极和漏极，所述漏极的上表面平铺N+衬底，所述N+衬底的上表面具有一层缓冲层，所述缓冲层的上方外延生长有N‑漂移区，所述N‑漂移区的上表面向下凹形形成沟槽，所述沟槽的内部掺杂有所述栅极，所述沟槽的左右两侧具有N+区；本实用新型中，中间低两侧高的抛物线形的沟槽，能够减小电场聚集，提高器件的稳定性，另外，通过在沟槽的两侧上均有源极槽，它延伸至漂移区的深度大于沟槽的深度，可以更好地保护栅极氧化物和降低电阻，源极槽、P‑半导体、导电柱、P‑掺杂这种布局几乎使栅极密度增加了一倍，有助于进一步降低器件的沟道电阻。
本实用新型具有高抗短路能力的SiC VDMOSFET结构在权利要求书中公布了：1.具有高抗短路能力的SiCVDMOSFET结构，包括源极1、栅极3和漏极12，其特征在于：所述漏极12的上表面平铺N+衬底13，所述N+衬底13的上表面具有一层缓冲层14，所述缓冲层14的上方外延生长有N-漂移区15，所述N-漂移区15的上表面向下凹形形成沟槽7，所述沟槽7的内部掺杂有所述栅极3，所述沟槽7的左右两侧具有N+区4，每个所述N+区4的下方设置有P-基区5，所述N-漂移区15的内部远离所述沟槽7的侧面设置P+区6，且所述P+区6的深度大于所述P-基区5的深度，并且所述P+区6的深度与所述沟槽7的深度相等，所述N-漂移区15的内部两侧设置有接地的源极槽8，所述源极槽8的内部下方注入有P-掺杂11，所述源极槽8的内侧壁植入有P-半导体9，所述源极槽8的内部且处在所述P-掺杂11的上方设置有导电柱10，所述N-漂移区15的上方横向平铺有所述源极1，所述源极1的内部嵌设氧化绝缘层2。
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