浙江创芯集成电路有限公司李哲轩获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118263137B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410683379.4，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权半导体结构的形成方法是由李哲轩;任堃;高大为;吴永玉设计研发完成，并于2024-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括功能面和非功能面；在所述功能面表面形成功能层结构；获取所述晶圆的翘曲情况；根据所述翘曲情况，在所述非功能面表面形成初始应力层，所述初始应力层具有初始应力，所述初始应力的方向与所述晶圆翘曲产生的应力方向相反；对所述初始应力层进行增强应力处理形成应力层，所述应力层的应力大于所述初始应力层的初始应力，所述应力层的应力与所述晶圆翘曲产生的应力相中和。所述晶圆的翘曲情况得到改善。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供晶圆，所述晶圆包括功能面和非功能面； 在所述功能面表面形成功能层结构； 获取所述晶圆的翘曲情况； 根据所述翘曲情况，在所述非功能面表面形成初始应力层，所述初始应力层具有初始应力，所述初始应力的方向与所述晶圆翘曲产生的应力方向相反； 所述晶圆的翘曲情况包括晶圆向非功能面弯曲，所述初始应力层具有初始张应力，所述初始应力层的材料为富氮的氮化硅，所述富氮的氮化硅中氮元素的含量大于硅元素的含量； 对所述初始应力层进行增强应力处理形成应力层，所述应力层的应力大于所述初始应力层的初始应力，所述应力层的应力与所述晶圆翘曲产生的应力相中和。
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