云南师范大学杨培志获国家专利权
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龙图腾网获悉云南师范大学申请的专利一种制备高定向二硫化钼薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118422162B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410620263.6，技术领域涉及：C23C16/30；该发明授权一种制备高定向二硫化钼薄膜的方法是由杨培志;李晶;郭江涛;王涛;杨雯;张云博;冯小波设计研发完成，并于2024-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种制备高定向二硫化钼薄膜的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及二硫化钼薄膜制备技术领域，特别是基于一种制备高定向二硫化钼薄膜的方法，包括以下步骤：清洗衬底；将衬底的抛光面朝下扣于石英舟上；称取氧化钼及硫粉放在石英舟中，分别将装有硫粉、氧化钼、衬底的三个石英舟放在管式炉内依次排布的第一温区、第二温区、第三温区，用氩气重复清洗三次后设定生长参数，氩气的流向为从第一温区至第三温区，最终制得高定向二硫化钼薄膜。本发明提出的制备高定向二硫化钼薄膜的方法具有操作简单且制得的样品缺陷少等优势，为二硫化钼薄膜的应用奠定了基础。
本发明授权一种制备高定向二硫化钼薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种制备高定向二硫化钼薄膜的方法，其特征在于：包括以下步骤：清洗衬底；将衬底的抛光面朝下扣于石英舟上；称取氧化钼及硫粉放在石英舟中，分别将装有硫粉、氧化钼、衬底的三个石英舟放在管式炉内依次排布的第一温区、第二温区、第三温区，用氩气重复清洗三次后设定生长参数，所述第一温区温度设定为100℃，并保温140分钟，接着20分钟上升至300℃并保温5分钟；所述第二温区温度设定为500℃，并保温80分钟，接着40分钟上升至900℃并保温5分钟；所述第三温区温度设定为1000℃，并保温75分钟；所述氩气的流向为从第一温区至第三温区最终制得高定向二硫化钼薄膜；其中，衬底采用c面朝a轴或m轴斜切的蓝宝石，c面蓝宝石朝a轴或m轴斜切角度为1°或2°。
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