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龙图腾网获悉国科大杭州高等研究院申请的专利一种室温中波红外范德华异质结线列探测器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118156374B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410568003.9，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种室温中波红外范德华异质结线列探测器的制备方法是由胡伟达;仲方;徐腾飞;李庆;贺婷;胡佳鹏;马航设计研发完成，并于2024-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种室温中波红外范德华异质结线列探测器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明的一种室温中波红外范德华异质结线列探测器的制备方法，包括以下步骤：机械剥离第一单晶二维材料；将第一单晶二维材料转移至PDMS；将PDMS薄片粘贴的第一单晶二维材料转移至第一硅片；对第一单晶二维材料进行刻蚀；将经过刻蚀的第一单晶二维材料转移至第二硅片；制备粘贴窄带隙的单晶二维材料的PDMS薄片；加热第二硅片，倾斜放置的PDMS薄片受热膨胀带动窄带隙的单晶二维材料逐渐由一侧至另一侧覆盖并接触单晶二维材料，直至第一单晶二维材料与窄带隙的单晶二维材料异质结形成；制备异质结；形成线列结构，完成器件制备。本发明能够制备出具有高灵敏高均匀的室温中波红外范德华异质结线列探测器。

本发明授权一种室温中波红外范德华异质结线列探测器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种室温中波红外范德华异质结线列探测器的制备方法，包括以下步骤： S1，机械剥离第一单晶二维材料， S2，将第一单晶二维材料转移至PDMS； S3，将PDMS薄片粘贴的第一单晶二维材料转移至第一硅片，获得位于第一硅片上的第一单晶二维材料； S4，对第一单晶二维材料进行刻蚀； S5，将经过刻蚀的第一单晶二维材料转移至第二硅片； S6，复制步骤S1-步骤S2，制备粘贴窄带隙的单晶二维材料的PDMS薄片； S7，倾斜放置PDMS薄片，降低PDMS薄片，直至窄带隙的单晶二维材料的一侧与步骤S5中的第一单晶二维材料接触前停止，对第二硅片加热，倾斜放置的PDMS薄片受热膨胀带动窄带隙的单晶二维材料逐渐由一侧至另一侧覆盖并接触单晶二维材料，维持第二硅片温度恒定直至第一单晶二维材料与窄带隙的单晶二维材料异质结形成； S8，将第二硅片降至室温后PDMS薄片收缩，抬升PDMS薄片，得到位于第二硅片上的第一单晶二维材料与窄带隙的单晶二维材料异质结，获得位于硅片上的大尺寸、均匀的二维材料异质结样片； S9，利用电子束光刻与金属沉积技术在异质结定义电极图案，通过刻蚀工艺形成线列结构，完成器件制备； 其中，第一单晶二维材料为MoS2，窄带隙的单晶二维材料为BP； 步骤S7中，倾斜放置PDMS薄片与第一单晶二维材料的夹角为5°，第二硅片温度慢慢加热至50℃后，保持温度恒定直至异质结形成。

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