浙江大学杭州国际科创中心张亦舒获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利一种Sigmoid激活函数的存算一体电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117077747B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311144497.X,技术领域涉及:G06N3/063;该发明授权一种Sigmoid激活函数的存算一体电路是由张亦舒;张国滨;凡雪蒙;李彭涛设计研发完成,并于2023-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Sigmoid激活函数的存算一体电路在说明书摘要公布了:一种Sigmoid激活函数的存算一体电路,采用单个元器件或少数元器件的本征电学特性,包括运算放大器、晶体管M1至M7、NPN型三极管T1、电阻R1、电阻R2、除法器,以三极管为硬件电路元件来实现存算一体化系结构中的Sigmoid激活函数,利用三极管电流‑电压关系,构造了Sigmoid激活函数表达式,实现了Sigmoid激活函数斜率可调,不但降低了Sigmoid激活函数的计算误差和高时间成本、高功耗等问题,还减少了往复数据传递以及传输延迟,确保Sigmoid激活函数的高精度,同时简化电路、降低成本、提高效益。
本发明授权一种Sigmoid激活函数的存算一体电路在权利要求书中公布了:1.一种Sigmoid激活函数的存算一体电路,其特征在于,包括运算放大器、晶体管M1至M7、NPN型三极管T1、电阻R1、电阻R2、除法器,其中晶体管M1、晶体管M4、晶体管M5、晶体管M6、晶体管M7为NMOS晶体管,晶体管M2、晶体管M3为PMOS晶体管;运算放大器的正极接入输入电压Vin,负极和输出端分别与晶体管M1的源极和栅极相连,晶体管M1的漏极与晶体管M2的漏极相连;晶体管M2与晶体管M3组成共源共栅电流镜,其中晶体管M2的栅极与漏极短接,晶体管M1的电流在电流镜的作用下等值传递至晶体管M3;晶体管M3的漏极与晶体管M7的漏极相连接;晶体管M7的源极与电阻R1和除法器的A端相连,且其栅极与漏极短接;除法器的B端则与电阻R2相连接;晶体管M6的漏极与除法器的B端和电阻R2相连接,且与其栅极短接,同时其源极与晶体管M5的漏极相连接;晶体管M4与晶体管M5组成共源共栅电流镜,其中晶体管M4的栅极与漏极短接;NPN型三极管T1的发射极与晶体管M4的漏极相连接,基极与电阻R1、电阻R2共同接地,集电极与晶体管M1的源极相连接,其中发射极的电流在电流镜的作用下等值传递至晶体管M5;电阻R1与电阻R2阻值相等,晶体管M2等于晶体管M3,晶体管M4等于晶体管M5。
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