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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利电吸收调制激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116526298B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310551421.2，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权电吸收调制激光器及其制备方法是由周代兵;贺卫利;安欣;梁松;赵玲娟设计研发完成，并于2023-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本电吸收调制激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种电吸收调制激光器及其制备方法，包括：衬底；有源层，形成在衬底上，有源层的表面分为第一区域、第二区域、第三区域和第四区域；其中，第一区域的有源层构成第一调制器，第二区域的有源层构成第二调制器，第三区域的有源层构成第一激光器，第四区域的有源层构成第二激光器；无源层，形成在衬底上，无源层的表面分为第五区域、第六区域以及第七区域；光栅，设置于无源层上；其中，第五区域的无源层和光栅构成第一前光栅，第六区域的无源层和光栅构成第二前光栅，第七区域的无源层和光栅构成后光栅；其中，第一调制器、第一激光器以及第一前光栅与第二调制器、第二激光器以及第二前光栅通过共用后光栅实现双端发射激光。

本发明授权电吸收调制激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电吸收调制激光器，其特征在于，包括： 衬底（10）；从所述衬底（10）的一端至另一端，所述衬底（10）表面依次设置有第一调制器（1）、第一前光栅（2）、第一激光器（3）、后光栅（7）、第二激光器（6）、第二前光栅（5）、第二调制器（4）； 有源层（12），形成在所述衬底（10）上，所述有源层（12）的表面分为第一区域、第二区域、第三区域和第四区域；其中，所述第一区域的有源层（12）构成第一调制器（1），所述第二区域的有源层（12）构成第二调制器（4），所述第三区域的有源层（12）构成第一激光器（3），所述第四区域的有源层（12）构成第二激光器（6）； 无源层（14），形成在所述衬底（10）上，所述无源层（14）的表面分为第五区域、第六区域以及第七区域； 光栅（15），设置于所述无源层（14）上；其中，所述第五区域的无源层（14）和所述光栅（15）构成第一前光栅（2），所述第六区域的无源层（14）和所述光栅（15）构成第二前光栅（5），所述第七区域的无源层（14）和所述光栅（15）构成后光栅（7）； 其中，所述第一调制器（1）、第一激光器（3）以及第一前光栅（2）与所述第二调制器（4）、第二激光器（6）以及第二前光栅（5）通过共用所述后光栅（7）实现双端发射激光； 所述第一激光器（3）、所述第二激光器（6）、所述第一前光栅（2）、所述第二前光栅（5）以及所述后光栅（7）的衬底（10）上生长有第一SiO2层（11），以供所述第一调制器（1）以及第二调制器（4）的光的波长比所述第一激光器（3）、所述第二激光器（6）、所述第一前光栅（2）、所述第二前光栅（5）以及所述后光栅（7）的光的波长短； 所述有源层（12）包括第一限制层、多量子阱层和第二限制层，所述第一限制层的带隙波长与所述第二限制层的带隙波长均比多量子阱层的带隙波长小10nm～100nm； 所述第二限制层上生长有第二SiO2层（13），用于保护所述有源层（12）不被刻蚀。

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