华东理工大学张博威获国家专利权
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龙图腾网获悉华东理工大学申请的专利一种窄层间距碳化钛及其制备方法、传感芯片及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116553552B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310473169.8，技术领域涉及：C01B32/921；该发明授权一种窄层间距碳化钛及其制备方法、传感芯片及其应用是由张博威;茅鑫园;褚天舒设计研发完成，并于2023-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种窄层间距碳化钛及其制备方法、传感芯片及其应用在说明书摘要公布了：本发明属于传感材料技术领域，具体涉及一种窄层间距碳化钛Ti3C2TX及其制备方法、传感芯片及其应用。本发明通过控制Ti3C2TX的退火温度从而调控Ti3C2TX的层间距，提供的窄层间距Ti3C2TX具有手风琴状多层结构；所述Ti3C2TX的层间距为当Ti3C2TX的层间距在时，可以阻隔大动力学分子直径的干扰气体，只有NH3能够进入Ti3C2TX的层间，从而提高其对氨气的选择性。同时，窄层间距构建的二维限域空间在纳米尺度下有着类似泵吸的现象，可以将层间外的氨气分子吸入层间，从而有效提高响应速度。
本发明授权一种窄层间距碳化钛及其制备方法、传感芯片及其应用在权利要求书中公布了：1.一种窄层间距碳化钛，具有手风琴状多层结构的Ti3C2TX；所述Ti3C2TX的层间距为 所述窄层间距碳化钛的粒径为5～30μm； 所述窄层间距碳化钛的制备方法包括以下步骤： 将碳化铝钛和含有HF的刻蚀液混合，依次进行刻蚀和干燥，得到Ti3C2TX粉末； 将所述Ti3C2TX粉末进行退火，得到窄层间距碳化钛；所述退火的温度为300～375℃。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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