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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种双模式MEMS流量传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116465468B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310434690.0，技术领域涉及：G01F1/696；该发明授权一种双模式MEMS流量传感器及其制备方法是由张志强;顾闰淇设计研发完成，并于2023-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双模式MEMS流量传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种双模式MEMS流量传感器，第一衬底与第二衬底，两者硅硅键合；在第一衬底的表面与体内设有：流道、第一空腔、第一硅衬底层、第一中间层、第一顶层、膜结构、压敏电阻、第一惠斯通电桥、第二惠斯通电桥、压焊块、第一连接线。在第二衬底的表面与体内设有：第二硅衬底层、第二中间层、第二顶层、第二空腔、加热电阻、第一热电堆、第二热电堆、压焊块、第二连接线。该流量传感器集成了热电式流量传感器与压阻式流量传感器，实现了双模式测量。该流量传感器的热电模式适用于测量小流速流体，压阻模式适用于测量大流速流体，在保证测量精度的同时拓宽了测量量程。该流量传感器流道制作在衬底内部，实现了微型化，易与环境集成。

本发明授权一种双模式MEMS流量传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双模式MEMS流量传感器，其特征在于：采用绝缘体上硅作为第一衬底1与第二衬底2，所述第一衬底1与所述第二衬底2键合： 所述第一衬底1包括：流道3、第一空腔4、第一硅衬底层5、第一中间层6、第一顶层7、膜结构22、多个压敏电阻8、第一惠斯通电桥9、第二惠斯通电桥10、第一压焊块231、第二压焊块232、第三压焊块233、第四压焊块234、第五压焊块235、第六压焊块236、第七压焊块237、第一连接线241； 所述第二衬底2包括：第二硅衬底层12、第二中间层13、第二顶层14、加热电阻15、第一热电堆16、第二热电堆17、第二空腔11、第八压焊块230、第二连接线242； 所述第一衬底1从上表面至下表面依次为所述第一顶层7、所述第一中间层6、所述第一硅衬底层5；所述第二衬底2从上表面至下表面依次为所述第二顶层14、所述第二中间层13、所述第二硅衬底层12；所述第一衬底1的第一顶层7与所述第二衬底2的第二顶层14为键合界面；所述流道3位于第一顶层7用于流体的通过； 所述第一空腔4位于所述第一硅衬底层5，所述第一空腔4与所述流道3之间形成所述膜结构22；所述膜结构22的两端各有一个所述压敏电阻8，分别是所述第一惠斯通电桥9与所述第二惠斯通电桥10的一个臂，所述第一惠斯通电桥9与所述第二惠斯通电桥10的其他三个臂均是相同的压敏电阻8，且三个所述压敏电阻8围绕所述膜结构22的外围并连接于所述第一连接线241上；没有流体通过时，由于所述压敏电阻8的初始值相同，因此所述第一惠斯通电桥9与所述第二惠斯通电桥10的输出电压都为0；所述压敏电阻8间通过所述第一连接线241连接，第一惠斯通电桥9与所述第二惠斯通电桥10的输入与输出均通过所述第一连接线241连接到所述第一压焊块231至所述第七压焊块237；所述第一热电堆16与所述第二热电堆17关于所述加热电阻15呈对称分布，且摆放方向与所述流道3方向垂直； 所述第二空腔11的范围包括了所述加热电阻15、所述第一热电堆16的热端、所述第二热电堆17的热端；所述第一热电堆16和所述第二热电堆17均由热电偶18由串联而成，所述热电偶18包括半导体臂19与金属臂20，且所述半导体臂19与所述金属臂20间由成分为氮化硅的热电材料绝缘层21进行隔离；所述第一热电堆16、所述第二热电堆17与所述加热电阻15通过第二连接线242连接到所述第八压焊块230。

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