拓荆科技(上海)有限公司张新宇获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆科技(上海)有限公司申请的专利一种AlN结合界面的预处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344328B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310432429.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种AlN结合界面的预处理方法是由张新宇;刘雯伊;陈新益;李霖设计研发完成，并于2023-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种AlN结合界面的预处理方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种AlN结合界面的预处理方法，用于预处理半导体器件中AlN材料层与基底及金属材料的结合界面，金属材料嵌于基底中且表面平齐，预处理方法包括：在预设温度下，向置于沉积腔室内的基底及金属材料的表面通入NH3以去除金属材料表面的金属氧化物；在预设时长内向基底及金属材料的表面持续通入Si源气体以预处理结合界面；以及在结合界面上沉积AlN材料以形成AlN层，在AlN层上逐层沉积其他预设材料以形成多层的半导体结构。
本发明授权一种AlN结合界面的预处理方法在权利要求书中公布了：1.一种AlN结合界面的预处理方法，用于预处理半导体器件中AlN材料层与基底及金属材料的结合界面，所述金属材料嵌于所述基底中且表面平齐，所述预处理方法包括： 在预设温度下，向置于沉积腔室内的所述基底及金属材料的表面通入NH3以去除所述金属材料表面的金属氧化物； 在预设时长内向所述基底及金属材料的表面持续通入Si源气体，并在反应开始前在所述沉积腔室内施加射频电源，使所述Si源气体的等离子体与所述金属材料表面进行反应，以在所述金属材料表面形成改善所述金属材料与AlN结合性的界面物质；以及 在所述界面物质上沉积AlN材料以形成AlN层，在所述AlN层上逐层沉积其他预设材料以形成多层的半导体结构。
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