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南昌大学廖霞霞获国家专利权

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龙图腾网获悉南昌大学申请的专利大面积二硒化钼薄膜的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116479401B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310405528.6,技术领域涉及:C23C16/30;该发明授权大面积二硒化钼薄膜的制备方法是由廖霞霞;胡翔;李盛兵;王勇;韩港澳;周杨波设计研发完成,并于2023-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。

大面积二硒化钼薄膜的制备方法在说明书摘要公布了:本发明提出一种大面积二硒化钼薄膜的制备方法,该方法包括:先将衬底进行超声清洗,而后将衬底表面吹干;在称量纸上分别称取一定量相对应的NH42MoO4、硒粉与KCl,并将称取的NH42MoO4与KCl充分混合后放入干净的第一刚玉舟中,将称量的硒粉放置在第二刚玉舟中;将洗净的衬底倒扣在第一刚玉舟所放置的混合药品的正上方距离为10‑20mm处,将第一刚玉舟放置于多温区管式炉的下游温区中,另一装载硒粉的第二刚玉舟置于上游温区,随后通入氩氢混合气体,对多温区管式炉进行三次洗气,再开启多温区管式炉,在8×104Pa‑9×104Pa下持续通入氩氢混合气体进行硒化反应,得到二维二硒化钼薄膜。本发明得到的MoSe2薄膜能达到厘米级别,且均匀性好,可控性强,结晶性好等特点。

本发明授权大面积二硒化钼薄膜的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种大面积二硒化钼薄膜的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括: 1先将衬底依次经过丙酮、异丙醇、去离子水超声清洗,而后用氮气枪将衬底表面吹干; 2在称量纸上分别称取一定量相对应的NH42MoO4、硒粉与KCl,并将称取的NH42MoO4与KCl充分混合后放入干净的第一刚玉舟中,将称量的硒粉放置在第二刚玉舟中; 3将洗净的衬底倒扣在第一刚玉舟所放置的混合药品的正上方距离为10-20mm处,将第一刚玉舟放置于多温区管式炉的下游温区中,另一装载硒粉的第二刚玉舟置于上游温区,随后通入氩氢混合气体,对多温区管式炉进行三次洗气,再开启多温区管式炉,在8×104Pa-9×104Pa下持续通入氩氢混合气体进行硒化反应,得到二维二硒化钼薄膜; 其中,NH42MoO4与KCl在反应中先生成气态反应中间体以提供Mo源,NH42MoO4与KCl的质量比为2.5:1-5:1,NH42MoO4与硒粉的质量比为1:3000-1:2000; 所述步骤3中上游温区的温度为300℃-350℃,下游温区的温度为600℃-700℃; 所述步骤3中混合氩氢气体浓度为4%-6%的氢气,气体流量流速为100-200sccm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人南昌大学,其通讯地址为:330000 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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