北京航空航天大学杨树斌获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利高熵掺杂层状氧化物及其制备方法、正极材料和钠离子电池获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116425212B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310269289.6,技术领域涉及:H01M4/505;该发明授权高熵掺杂层状氧化物及其制备方法、正极材料和钠离子电池是由杨树斌;王梓铭;陈浩设计研发完成,并于2023-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本高熵掺杂层状氧化物及其制备方法、正极材料和钠离子电池在说明书摘要公布了:本发明公开了一种高熵掺杂层状氧化物及其制备方法、正极材料和钠离子电池,其中,该高熵掺杂层状氧化物的化学式表示为:NaxAyMzO2,其中,Na代表钠元素,A选自镍、锰、铁中的至少两种元素;M代表掺杂元素,所述M选自元素周期表中第三至五周期中五种以上的不同于钠和A的金属元素,所述每种掺杂元素的角标值≤0.05,所述每种A元素的角标值≥0.1;0.6≤x≤1,0.8≤y<1,0<z≤0.2,y+z=1。通过五种以上低含量的金属元素实现高熵掺杂,得到一类新型的高熵掺杂层状氧化物,其作为钠离子电池的正极材料,结果显示其表现出优异倍率性能和循环稳定性的电化学特性。
本发明授权高熵掺杂层状氧化物及其制备方法、正极材料和钠离子电池在权利要求书中公布了:1.一种高熵掺杂层状氧化物,其特征在于,所述高熵掺杂层状氧化物的化学式表示为:NaxAyMzO2,其中,Na代表钠元素,A选自镍、锰、铁中的至少两种元素;M代表掺杂元素,所述M选自镍、锰、铁、钴、铜、钛、镁、锌、钙、钒、铬、锆、铌、钼、钌、锡、锑、铝元素中不同于钠和A的金属元素,每种掺杂元素的角标值≤0.05,每种A元素的角标值≥0.1,0.6≤x≤1,0.8≤y<1,0<z≤0.2,y+z=1; 所述高熵掺杂层状氧化物的化学式表示为NaxNiαMnβM1aM2bM3cM4dM5eM6fO2,y=α+β,z=a+b+c+d+e+f,0.1≤α≤0.5,0.1≤β≤0.7;或,NaxMnα’Feβ’Niγ’M1aM2bM3cM4dM5eM6fO2,其中,y=α’+β’+γ’,0.1≤α’≤0.5,0.1≤β’≤0.4,0.1≤γ’≤0.3; 和,0<a≤0.05,0<b≤0.05,0<c≤0.05,0<d≤0.05,0<e≤0.05,0≤f≤0.05。
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