厦门大学张金宝获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利一种连续分子注入的方法在钙钛矿太阳能电池的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116209332B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310161442.3，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权一种连续分子注入的方法在钙钛矿太阳能电池的应用是由张金宝;杨丽;杜国政;李晓锋设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种连续分子注入的方法在钙钛矿太阳能电池的应用在说明书摘要公布了：一种连续分子注入的方法在钙钛矿太阳能电池的应用，本发明通过MISD这一工艺，实现了更高效率的分子掺杂，进而大大提高了薄膜的电导率和空穴迁移率，也优化了薄膜的表面电势，薄膜的HOMO能级也实现了降低。这些提升大大减少了器件的非辐射复合，降低了载流子在传输过程中的损失，最终大幅提升了器件效率。由于没有LiTFSI、tBP等掺杂剂的影响，MISD的器件也展现出了优异的稳定性，在环境中存放5200h后仍可以保持90%以上的初始效率。由此体现本发明可以同时提升电池效率及稳定性，为钙钛矿的太阳能电池的商业化发展提供启发和借鉴。
本发明授权一种连续分子注入的方法在钙钛矿太阳能电池的应用在权利要求书中公布了：1.一种连续分子注入的方法在钙钛矿太阳能电池的应用，其特征在于包括以下步骤： 1）将清洗后的ITO玻璃基底用紫外-臭氧处理以提高润湿性； 2）将SnO2溶液旋涂在ITO玻璃基底上，并在热台上退火，以制备电子传输层，冷却至室温后，再次用紫外-臭氧处理； 3）配制钙钛矿Cs0.07FA0.9MA0.03PbI0.92Br0.083前驱体溶液，并将配制好的钙钛矿前驱体溶液旋涂在电子传输层上并退火，以形成钙钛矿薄膜； 4）将步骤3）制备的样品放入蒸镀仓中，然后将Spiro-OMeTAD和F4TCNQ依次热蒸发在钙钛矿薄膜上； 5）首先将步骤4）制备的样品转移至异丙醇溶剂中，实现F4TCNQ分子的向下渗透；然后再将样品转移至氯苯溶剂中，通过氯苯的后处理实现对Spiro-OMeTAD的压缩，改变Spiro-OMeTAD分子的堆积状态； 6）将步骤5）制备的样品放入蒸镀仓中进行Ag电极的热蒸发制备； 步骤1）和步骤2）中，紫外-臭氧处理的时间为5～30min。
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