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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利一种电荷收集方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116205117B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310160765.0，技术领域涉及：G06F30/25；该发明授权一种电荷收集方法及系统是由魏佳男;张培健;傅婧;罗婷;仵韵辰;石艳斌;陆科设计研发完成，并于2023-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电荷收集方法及系统在说明书摘要公布了：本申请提供一种电荷收集方法及系统，该方法包括：获取待测半导体器件，利用重离子微束对待测半导体器件进行逐点扫描，并根据逐点扫描结果绘制单粒子效应敏感区域平面图；基于单粒子效应敏感区域平面图构建多灵敏体积结构模型，并对多灵敏体积结构模型进行辐射粒子入射模拟，以及计算辐射粒子在每个子灵敏体积内的第一电荷收集量；对每个子灵敏体积内的第一电荷收集量进行求和，得到辐射粒子入射待测半导体器件的电荷收集量。本申请可以构建重离子、α粒子等直接电离诱发单粒子效应的电荷收集模型，也可以构建质子、中子等次级粒子诱发单粒子效应的电荷收集模型，再通过电荷收集模型得到单粒子效应电荷收集量，增加了电荷收集模型的适用范围。

本发明授权一种电荷收集方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种电荷收集方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 获取待测半导体器件；其中，所述待测半导体器件包括：管芯裸露以及通过电学参数测试的半导体器件； 利用重离子微束对所述待测半导体器件进行逐点扫描，并根据逐点扫描结果绘制单粒子效应敏感区域平面图； 基于所述单粒子效应敏感区域平面图构建多灵敏体积结构模型；其中，所述多灵敏体积结构模型包含n个子灵敏体积，n≥1； 对所述多灵敏体积结构模型进行辐射粒子入射模拟，并计算所述辐射粒子在每个子灵敏体积内的第一电荷收集量；以及， 对每个子灵敏体积内的第一电荷收集量进行求和，得到所述辐射粒子入射所述待测半导体器件的电荷收集量； 对所述多灵敏体积结构模型进行辐射粒子入射模拟前，所述方法还包括：对所述多灵敏体积结构模型进行重离子入射模拟，计算所述重离子在每个子灵敏体积内的电荷沉积量；获取每个子灵敏体积内的电荷收集效率初始值，并根据每个子灵敏体积内的电荷收集效率初始值、所述重离子在每个子灵敏体积内的电荷沉积量，计算每个子灵敏体积内的第二电荷收集量；根据单粒子效应电荷收集量对每个子灵敏体积的第二电荷收集量进行校准，得到电荷收集效率校准值；其中，所述电荷收集效率校准值用于计算所述辐射粒子在每个子灵敏体积内的第一电荷收集量； 其中，对所述多灵敏体积结构模型进行辐射粒子入射模拟，并计算所述辐射粒子在每个子灵敏体积内的第一电荷收集量的过程包括：对所述多灵敏体积结构模型进行辐射粒子入射模拟，得到所述辐射粒子在每个子灵敏体积内的电荷沉积量；根据电荷收集效率校准值、所述辐射粒子在每个子灵敏体积内的电荷沉积量，计算所述辐射粒子在每个子灵敏体积内的第一电荷收集量。

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