中国电子科技集团公司第十四研究所昌建军获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十四研究所申请的专利一种基于蜿蜒栅常关型结构的AlGaN/GaN HEMT传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115932016B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310128470.5，技术领域涉及：G01N27/414；该发明授权一种基于蜿蜒栅常关型结构的AlGaN/GaN HEMT传感器是由昌建军;杨明;杨景红设计研发完成，并于2023-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于蜿蜒栅常关型结构的AlGaN/GaN HEMT传感器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于蜿蜒栅常关型结构的AlGaNGaNHEMT传感器，包括由下至上依次设置的衬底、无掺杂GaN缓冲层、低温GaN层、高温GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、p‑GaN层和设置在p‑GaN层之上的源极、漏极、栅极以及封装上述电极的钝化层。本发明引入蜿蜒栅常关型结构，增大了表面感测面积，提高电场强度，从而提高了传感器检测的可靠性、灵敏度；采用2‑巯基琥珀酸溶液修饰栅极，2‑巯基琥珀酸的羧基与铁离子结合成螯合物的能力较强，提高了提高传感器的灵敏度；且2‑巯基琥珀酸材料具有重金属解毒剂特性、自组装修饰效果好，修饰时间较短，操作简便，有效地改善检测环境，可有效地提高实验室外检测效率。
本发明授权一种基于蜿蜒栅常关型结构的AlGaN/GaN HEMT传感器在权利要求书中公布了：1.一种基于蜿蜒栅常关型结构的AlGaNGaNHEMT传感器，其特征在于：包括由下至上依次设置的衬底、无掺杂GaN缓冲层、低温GaN层、高温GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层、p-GaN层和设置在p-GaN层之上的源极、漏极、栅极以及封装上述电极的钝化层； 所述栅极形状为蜿蜒栅极，为六个传统栅极折叠相连而得，栅极的表面采用2-巯基琥珀酸自组装形成的分子膜进行修饰； 所述AlN插入层与高温GaN沟道层之间形成二维电子气2DEG。
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