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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十四研究所申请的专利一种带有电容的LVDS预加重时钟驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116260434B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310128715.4，技术领域涉及：H03K5/156；该发明授权一种带有电容的LVDS预加重时钟驱动电路是由冯向明;曲明;王君从;魏红涛;翟越;龚立霖;王海东;宋明宇设计研发完成，并于2023-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带有电容的LVDS预加重时钟驱动电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种带有电容的LVDS预加重时钟驱动电路，属于微电路结构领域。本发明包括LVDS主体信号结构通路和预加重信号通路，其中预加重信号通路中增加电容。LVDS主体通路的输入信号同预加重通路的输入信号相连接，同样LVDS主体通路的输出信号同预加重通路的输出信号相连接。本发明具有结构简单、效率高、功耗较低的优点。

本发明授权一种带有电容的LVDS预加重时钟驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种带有电容的LVDS预加重时钟驱动电路，其特征在于，包括LVDS主体通路和预加重信号通路，LVDS主体通路和预加重信号通路的第一输入端、第二输入端、第一输出端、第二输出端分别对应连接，输入信号同时经过LVDS主体通路和预加重信号通路，预加重信号通路对信号进行预加重，预加重信号叠加到主体通路信号上，实现信号的预加重； 所述LVDS主体通路包括第一PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第五NMOS管；第四PMOS管的栅极和第一NMOS管的栅极连接且连接端为差分信号的第一输入端，第五PMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极连接且连接端为差分信号的第二输入端，第四PMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极连接且连接端为差分信号的第一输出端，第五PMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极连接且连接端为差分信号的第二输出端，第四PMOS管的源极、第五PMOS管的源极和第一PMOS管的漏极连接，第一PMOS管的栅极接第一EP控制信号，第一PMOS管的源极接入电源，第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极和第五NMOS管的漏极连接，第五NMOS管的栅极接第一EN控制信号，第五NMOS管的源极接入地； 所述预加重信号通路包括第二PMOS管、第三PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻；第六PMOS管的栅极和第三NMOS管的栅极连接且连接端为差分信号的第一输入端，第七PMOS管的栅极和第四NMOS管的栅极连接且连接端为差分信号的第二输入端，第六PMOS管的漏极和第三NMOS管的漏极连接且连接端为差分信号的第一输出端，第七PMOS管的漏极和第四NMOS管的漏极连接且连接端为差分信号的第二输出端，第二PMOS管的漏极、第六PMOS管的源极和第一电容的一端连接，第三PMOS管的漏极、第七PMOS管的源极和第二电容的一端连接，第二PMOS管的栅极和第三PMOS管的栅极都接第二EP控制信号，第二PMOS管的源极和第三PMOS管的源极都接入电源，第一电容的另一端、第二电容的另一端、第一电阻的一端和第二电阻的一端连接，第一电阻的另一端接入电源，第二电阻的另一端接入地，第三NMOS管的源极、第六NMOS管的漏极和第三电容的一端连接，第四NMOS管的源极、第七NMOS管的漏极和第四电容的一端连接，第三电容的另一端、第四电容的另一端、第三电阻的一端和第四电阻的一端连接，第三电阻的另一端接入电源，第四电阻的另一端接入地。

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