武汉大学潘泽敏获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种二维钼碲合金及超高真空下制备二维钼碲合金的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116219540B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310054569.5，技术领域涉及：C30B25/02；该发明授权一种二维钼碲合金及超高真空下制备二维钼碲合金的方法是由潘泽敏;张辉;简涛;张晨栋设计研发完成，并于2023-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二维钼碲合金及超高真空下制备二维钼碲合金的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种二维钼碲合金及超高真空下制备二维钼碲合金的方法，该方法包括：超高真空环境下，通过分子束外延法制备2H相的MoTe2薄膜；将2H相的MoTe2薄膜在400℃～450℃、超真空环境中退火，使Mo和Te进行化学键合，获得二维钼碲合金。本发明通过对2H相的MoTe2薄膜400℃～450℃退火处理，获得了有序、镜面对称孪晶界超晶格的二维钼碲合金，该二维钼碲合金具有较高的科研价值和广泛的应用潜力，该制备方法简单、有效、可控。
本发明授权一种二维钼碲合金及超高真空下制备二维钼碲合金的方法在权利要求书中公布了：1.一种超高真空下制备二维钼碲合金的方法，其特征在于，包括： 超高真空下，通过分子束外延法制备2H相的MoTe2薄膜；所述通过分子束外延法制备2H相的MoTe2薄膜包括：按照Mo和Te沉积速率比为1:25~35，将Mo原子和Te原子共同蒸发沉积到250±5℃的基底上，保温，即获得2H相的MoTe2薄膜；所述基底上设有双层石墨烯；所述超高真空为压强处于10-6～10-8Pa范围的真空环境； 将2H相的MoTe2薄膜在400℃~450℃、超高真空下退火，使Mo和Te进行化学键合，获得具有有序分布且大小均一的镜面对称孪晶界超晶格结构的二维钼碲合金。
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