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龙图腾网获悉深圳市美矽微半导体有限公司申请的专利一种具有电压与温度补偿的振荡电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116169985B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310000916.6，技术领域涉及：H03K3/011；该发明授权一种具有电压与温度补偿的振荡电路是由孙占龙;梁佩俊设计研发完成，并于2023-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有电压与温度补偿的振荡电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有电压与温度补偿的振荡电路,包含触发电路U1，所述的触发电路U1包含PMOS管与NMOS管，所述的PMOS管包含第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4与第五PMOS管MP5，所述的NMOS管包含第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4与第五NMOS管MN5，本发明中的触发电路U1包含具有温度与电压补偿作用的电路结构，此电路结构可以大幅减少振荡电路在不同工作温度与工作电压下输出的频率偏差，本发明能够满足对频率精度要求较高的应用场景。

本发明授权一种具有电压与温度补偿的振荡电路在权利要求书中公布了：1.一种具有电压与温度补偿的振荡电路,包含触发电路U1,其特征在于: 所述的触发电路U1包含PMOS管与NMOS管，所述的PMOS管包含第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4与第五PMOS管MP5，所述的NMOS管包含第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4与第五NMOS管MN5； 所述第一PMOS管MP1的源极连接VDD电源，所述第一PMOS管MP1源极的漏极连接所述第二PMOS管MP2的源极，所述第二PMOS管MP2的漏极连接所述第二NMOS管MN2的漏极，所述第二NMOS管MN2的源极连接所述第一NMOS管MN1的漏极，所述第一NMOS管MN1的源极接地； 所述第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第一NMOS管MN1与第二NMOS管MN2的栅极连接在一起为所述触发电路U1的输入端； 所述第三PMOS管MP3与所述第三NMOS管MN3的栅极连接所述第二PMOS管MP2与第二NMOS管MN2漏极的连接端，所述第三PMOS管MP3的源极连接所述第一PMOS管MP1漏极与第二PMOS管MP2源极的连接端，所述第三NMOS管MN3的漏极连接所述第二NMOS管MN2源极与第一NMOS管MN1漏极的连接端； 所述第三PMOS管MP3的漏极连接所述第四NMOS管MN4的漏极，所述第四NMOS管MN4的源极接地，所述第四NMOS管MN4的栅极连接VDD电源； 所述第三NMOS管MN3的漏极连接所述第四PMOS管MP4的漏极，所述第四PMOS管MP4的源极连接VDD电源，所述第四PMOS管MP4的栅极接地； 所述第五PMOS管MP5与第五NMOS管MN5的栅极连接在一起，所述第五PMOS管MP5的漏极连接所述第三PMOS管MP3的源极，所述第五PMOS管MP5的源极连接VDD电源，所述第五NMOS管MN5的漏极连接所述第三NMOS管MN3的源极，所述第五NMOS管MN5的源极接地； 所述的触发电路U1还包含第一反相器I1，所述第一反相器I1的输入端连接所述第三PMOS管MP3与所述第三NMOS管MN3的公共端，所述第一反相器I1的输出端连接所述第五PMOS管MP5与第五NMOS管MN5的公共端与所述触发电路U1的输出端； 所述的振荡电路还包含与非门U2、第二反相器I2、第一电容C1与第一电阻R1，所述第一电容C1的一端连接所述触发电路U1的输入端，另一端连接所述触发电路U1的输出端，所述与非门U2的输入端连接所述触发电路U1的输出端，输出端连接所述第二反相器I2的输入端，所述第二反相器I2的输出端为振荡电路的输出端，所述第一电阻R1的一端连接所述触发电路U1的输入端，另一端连接所述与非门U2的输出端；或所述的振荡电路还包含第三反相器I3、第四反相器I4、与门U3、第五反相器I5、第六反相器I6、第二电容C2与第二电阻R2，所述第二电容C2的一端连接所述触发电路U1的输入端，另一端连接所述触发电路U1的输出端，所述第三反相器I3的输入端连接所述触发电路U1的输出端，输出端连接所述第四反相器I4的输入端，所述第四反相器I4的输出端连接所述与门U3的输入端，所述与门U3的输出端连接所述第五反相器I5的输入端，所述第二电阻R2的一端连接所述触发电路U1的输入端，另一端连接所述第五反相器I5的输出端，所述第六反相器I6的输入端连接所述第三反相器I3与第四反相器I4的公共端，所述第六反相器I6的输出端为振荡电路的输出端； 所述的与非门U2包含使能端并连接使能信号发出端,所述与非门U2的工作状态由使能信号控制； 所述的与门U3包含使能端并连接使能信号发出端，所述与门U3的工作状态由使能信号控制。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市美矽微半导体有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区粤海街道麻岭社区高新中二道2号深圳软件园4栋4层东；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。