西安交通大学岳洋获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种偏振不敏感的光功率耦合器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115826133B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211625953.8，技术领域涉及：G02B6/12；该发明授权一种偏振不敏感的光功率耦合器是由岳洋;方宇熙;张娇楠设计研发完成，并于2022-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种偏振不敏感的光功率耦合器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种偏振不敏感的光功率耦合器，包括两个有氮化硅垂直狭缝波导结构，所述波导结构在宽度方向上分为左侧的氮化硅层结构和右侧的氮化硅层结构，氮化硅层结构之间为中间狭缝材料；所述波导结构外侧包覆有包层材料，所述中间的狭缝材料和包层材料为二氧化硅或者低折射率的电光聚合物。本发明将准TE和准TM模式的耦合长度比控制在1左右，能够实现偏振无关的功率分配，同时，该器件的偏振不敏感性具有一定的适用性，即偏振不敏感性。
本发明授权一种偏振不敏感的光功率耦合器在权利要求书中公布了：1.一种偏振不敏感的光功率耦合器，其特征在于，包括两个结构形状相同的波导结构，所述波导结构为长条状，两个波导结构左右平行设置，每个所述波导结构包括依次紧贴设置的左氮化硅层、中间狭缝层和右氮化硅层；所述波导结构外侧包覆有包层材料，所述中间狭缝层的材料和所述包层材料均为二氧化硅或者均为低折射率的电光聚合物； 所述波导结构间距d在100-900nm之间，高度H在500-2000nm之间，宽度W在500-2000nm，中间狭缝层的厚度Ws在50-200nm之间； 所述光功率耦合器中，准TE模式的耦合长度为LTE，准TM模式的耦合长度为LTM，当耦合长度的比率LTELTM为1时，光功率耦合器具有偏振不敏感特性。
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