中芯越州集成电路制造(绍兴)有限公司张偲获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯越州集成电路制造(绍兴)有限公司申请的专利外延结构、半导体器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763232B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211585981.1，技术领域涉及：H01L21/205；该发明授权外延结构、半导体器件及制备方法是由张偲;项少华;刘国安设计研发完成，并于2022-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本外延结构、半导体器件及制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及一种外延结构的制备方法、外延结构、半导体器件的制备方法以及半导体器件，通过在衬底上外延生长缓冲层；在缓冲层上外延生长第一高阻半导体层；去除部分第一高阻半导体层，形成至少两个从第一高阻半导体层的上表面延伸至第一高阻半导体层内部的凹槽，至少两个凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，其中，第一高阻半导体层位于第一凹槽和第二凹槽之间的部分未被去除而形成隔离侧墙；在第一高阻半导体层上外延生长低阻半导体层；在低阻半导体层的位于第一凹槽内的部分之上外延生长第一器件材料层，第一器件材料层与低阻半导体层采用不同的半导体材料形成；如此，实现在同一衬底上集成至少两种需要不同半导体材料制成的器件。
本发明授权外延结构、半导体器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种外延结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 在衬底上外延生长缓冲层； 在所述缓冲层上外延生长第一高阻半导体层； 去除部分所述第一高阻半导体层，形成至少两个从所述第一高阻半导体层的上表面延伸至所述第一高阻半导体层内部的凹槽，至少两个所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，其中，所述第一高阻半导体层位于所述第一凹槽和所述第二凹槽之间的部分未被去除而形成隔离侧墙； 在所述第一高阻半导体层上外延生长低阻半导体层； 去除形成在所述隔离侧墙上的低阻半导体层，所述低阻半导体层的位于所述第一凹槽内的部分和所述低阻半导体层的位于所述第二凹槽内的部分之间通过所述隔离侧墙隔离； 在所述低阻半导体层的位于所述第一凹槽内的部分之上外延生长第一器件材料层，所述第一器件材料层与所述低阻半导体层采用不同的半导体材料形成。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯越州集成电路制造(绍兴)有限公司，其通讯地址为：312035 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路508号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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