大同共聚(西安)科技有限公司李陶琦获国家专利权
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龙图腾网获悉大同共聚(西安)科技有限公司申请的专利一种耐电击穿聚酰亚胺薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115785500B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211572786.5，技术领域涉及：C08J5/18；该发明授权一种耐电击穿聚酰亚胺薄膜的制备方法是由李陶琦;周雨薇;聂麒曌;蔡阿丽设计研发完成，并于2022-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种耐电击穿聚酰亚胺薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种耐电击穿聚酰亚胺薄膜的制备方法，由以下步骤组成，步骤S1：将元素有机化合物溶解于有机溶剂，以得到元素有机化合物溶液，步骤S2：向元素有机化合物溶液中通入氮气，并加入二胺类化合物，步骤S3：待二胺类化合物完全溶解后，再加入二酐类化合物反应得到含有元素有机化合物的聚酰胺酸溶液，步骤S4：经过亚胺化得到耐电击穿聚酰亚胺薄膜；本发明通过添加元素有机化合物，去掉了现有技术添加无机纳米粒子制备耐电击穿聚酰亚胺薄膜工艺中的偶联剂水解、搅拌下加入无机纳米粒子、过滤、干燥、粉碎等工序，缩短了耐电击穿聚酰亚胺薄膜制备工艺路线，降低了生产成本，提高了产品耐击穿电压和拉伸强度。
本发明授权一种耐电击穿聚酰亚胺薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种耐电击穿聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，由以下步骤组成， 步骤S1：将元素有机化合物溶解于有机溶剂，以得到元素有机化合物溶液， 步骤S2：向元素有机化合物溶液中通入氮气，并加入二胺类化合物， 步骤S3：待二胺类化合物完全溶解后，再加入二酐类化合物反应得到含有元素有机化合物的聚酰胺酸溶液， 步骤S4：经过亚胺化得到耐电击穿聚酰亚胺薄膜； 其中，二酐类化合物的纯度不小于99.5%、含水量不大于100ppm；二酐分5次加入，且第5次二酐加入量为二酐总量的97.5%； 所述二酐类化合物为4,4，-联苯醚二酐； 所述元素有机化合物为铝有机化合物、锌有机化合物、镁有机化合物或锆有机化合物中的一种或几种组合； 所述二胺类化合物：二酐类化合物的摩尔比为1:1，所述元素有机化合物：二胺类化合物的摩尔比为1-10:100。
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