联合微电子中心有限责任公司李仁雄获国家专利权
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龙图腾网获悉联合微电子中心有限责任公司申请的专利半导体装置及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115996578B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211527432.9，技术领域涉及：H10B53/30；该发明授权半导体装置及其制备方法是由李仁雄;黄俊;丁琦;彭路露;宁宁设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体装置及其制备方法，在器件中加入负电容结构，实现了一种将逻辑器件与闪存结构在同一工艺平台制造的制备方法，具有设计和工艺简单，制造成本低的优点。本发明通过控制相应器件栅氧层和负电容介质层的厚度，控制嵌入式快闪存储器、逻辑核心器件及输入输出器件的等效负电容值的范围，可以使得所述嵌入式快闪存储器被控制工作在双稳态区域，从而实现稳定的闪存储存功能，所述逻辑核心器件和输入输出器件被控制工作在无迟滞态区域，从而实现逻辑器件功能。
本发明授权半导体装置及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 1提供一基底，所述基底上形成有对应嵌入式快闪存储器的第一栅凹槽、对应逻辑核心器件的第二栅凹槽及对应输入输出器件的第三栅凹槽，所述第一栅凹槽、第二栅凹槽和第三栅凹槽的底部分别具有第一栅氧层、第二栅氧层和第三栅氧层，所述第二栅氧层的厚度小于所述第一栅氧层和所述第三栅氧层的厚度； 2于所述第一栅凹槽、第二栅凹槽和第三凹槽的底部和侧壁形成正电容介质层； 3于所述正电容介质层表面形成负电容介质层，位于所述第一栅凹槽和所述第二栅凹槽内的第一负电容介质层和第二负电容介质层的厚度小于位于所述第三栅凹槽内的第三负电容介质层的厚度； 4于所述第一栅凹槽、第二栅凹槽和第三栅凹槽中形成金属栅极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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