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龙图腾网获悉中物院成都科学技术发展中心申请的专利一种多层内连式压电薄膜传感器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116033819B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211505060.X，技术领域涉及：H10N30/87；该发明授权一种多层内连式压电薄膜传感器及制备方法是由王凤起;廖成;冉小龙;叶勤燕;何绪林;罗坤;郑兴平设计研发完成，并于2022-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多层内连式压电薄膜传感器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明是关于一种多层内连式压电薄膜传感器及制备方法，属于薄膜传感器技术领域，压电薄膜传感器包括层叠设置的n层压电层和n+1层电极层，n≥2；压电层位于相邻的两层电极层之间；薄膜传感器还包括桥接部，桥接部位于相邻的两层压电层的内部，桥接部将相间的两层电极层相连，且位于相邻的两层压电层之间的电极层与桥接部之间设置绝缘区，以使相邻的两层压电层并联设置。本发明通过在压电薄膜传感器的内部设置桥接部，以从压电薄膜传感器的内部实现多个压电层的并联，无需外接引线，不改变薄膜传感器的外部形状，具有制备简单、易集成、大位移量的优点。

本发明授权一种多层内连式压电薄膜传感器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多层内连式压电薄膜传感器，其特征在于，所述压电薄膜传感器包括层叠设置的n层压电层和n+1层电极层，n≥2；所述压电层位于相邻的两层所述电极层之间； 所述薄膜传感器还包括桥接部，所述桥接部位于相邻的两层所述压电层的内部，所述桥接部将相间的两层所述电极层相连，且位于相邻的两层所述压电层之间的所述电极层与所述桥接部之间设置绝缘区，以使相邻的两层所述压电层并联设置； 所述多层内连式压电薄膜传感器的制备方法包括：在器件衬底端面上逐层生成电极层和压电层，且压电层位于电极层之间；所述制备方法还包括： 在第k层电极层上生成第k层压电层之前，先在第k层电极层上设置第一掩膜版，第一掩膜版的尺寸小于第k层电极层的尺寸；再在第k层电极层上生成第k层压电层，k∈[1,n-1]； 在第k层压电层上生成第k+1层电极层之前，先在第一掩膜版上设置第二掩膜版，第二掩膜版的尺寸大于第一掩膜版的尺寸且小于第k层压电层的尺寸；再在第k层压电层上生成第k+1层电极层； 所述制备方法还包括： 当k+1＜n时，在第k+1层电极层上生成第k+1层压电层之前，先将第二掩膜版取下，第一掩膜版保持；在第k+1层电极层上生成第k+1层压电层，且第二掩膜版取下后的区域与第k+1层压电层同时溅射生长形成一体；再将第一掩膜版取下，在第k+1层压电层上生成第k+2层电极层，且第一掩膜版取下后的区域与第k+2层电极层同时溅射生长形成一体； 当k+1=n时，在第k+1层电极层上生成第k+1层压电层之前，先将第二掩膜版取下，第一掩膜版保持，在第k+1层电极层的边缘内侧设置第三掩膜版，第三掩膜版呈环形；再在第k+1层电极层上生成第k+1层压电层，第k+1层压电层位于第一掩膜版与第三掩膜版之间，且第二掩膜版取下后的区域与第k+1层压电层同时溅射生长形成一体；再将第一掩膜版取下，第三掩膜版保持，在第k+1层压电层上生成第k+2层电极层，且第一掩膜版取下后的区域与第k+2层电极层同时溅射生长形成一体，最后将第三掩膜版取下； 所述第三掩膜版所在的区域用于形成阶梯结构，测试状态下，测试设备通过所述阶梯结构对所述薄膜传感器施加电压。

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