天津巴莫科技有限责任公司李作伟获国家专利权
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龙图腾网获悉天津巴莫科技有限责任公司申请的专利一种单晶三元正极材料及其制造方法、一种锂离子电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763747B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211483110.9，技术领域涉及：C30B1/10；该发明授权一种单晶三元正极材料及其制造方法、一种锂离子电池是由李作伟;闵盛焕;杨亚强;张斌;蔡向阳;许艳婷;徐宁设计研发完成，并于2022-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单晶三元正极材料及其制造方法、一种锂离子电池在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种单晶三元正极材料及其制造方法、一种锂离子电池，包括：将三元前驱体、锂盐和添加剂混合均匀进行一次焙烧，得到一次料，添加剂至少包括卤素阴离子X，即利用一次焙烧引入卤素阴离子X，将一次料和添加剂混合均匀进行二次焙烧，得到单晶三元正极材料，添加剂至少包括离子半径大于或等于阈值的目标阳离子Q，即利用二次焙烧引入离子半径较大的目标阳离子Q，其进入晶格的同时形成表面包覆，使得形成的单晶三元正极材料中包括卤素阴离子X和目标阳离子Q，以利用卤素阴离子X和目标阳离子Q提高形成的单晶三元正极材料的晶体结构稳定性，最终提高单晶三元正极材料的传输性能和电化学性能。
本发明授权一种单晶三元正极材料及其制造方法、一种锂离子电池在权利要求书中公布了：1.一种单晶三元正极材料的制造方法，其特征在于，包括： 将三元前驱体、锂盐和添加剂混合均匀进行一次焙烧，得到一次料，所述添加剂至少包括卤素阴离子X； 将所述一次料和添加剂混合均匀进行二次焙烧，得到单晶三元正极材料，所述添加剂至少包括离子半径大于或等于阈值的目标阳离子Q，所述单晶三元正极材料至少包括所述卤素阴离子X和所述目标阳离子Q；所述阈值为0.08纳米； 形成包覆层，所述包覆层包覆所述单晶三元正极材料，所述包覆层至少包括目标阳离子Q。
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