宁波财经学院胡雪芳获国家专利权
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龙图腾网获悉宁波财经学院申请的专利基于电子浓度空间分布的光调制器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115826272B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211474528.3，技术领域涉及：G02F1/015；该发明授权基于电子浓度空间分布的光调制器及其制备方法和应用是由胡雪芳;孙德超;阳思思设计研发完成，并于2022-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于电子浓度空间分布的光调制器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于电子浓度空间分布的光调制器及其制备方法和应用，特点是由从下至上依次排列的基底、第一金属光栅、第一绝缘层、掺杂半导体层、第二绝缘层和第二金属光栅组成，所述的掺杂半导体层由并列设置的半导体光栅和传输层组成，所述的第一金属光栅包括多个第一金属栅条，所述的第二金属光栅设置有与所述的第一金属栅条数量相同并一一对应的第二金属栅条；优点是对于不同的工作波长，选择合适的电子浓度分布周期，都能进行调制，实现宽带的表面等离激元幅度调制，有利于进一步提高调制效率和深度、缩小器件的尺寸，该光调制器在未来的高密集光通信，光电集成以及光传感领域有着广大的应用前景。
本发明授权基于电子浓度空间分布的光调制器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种基于电子浓度空间分布的光调制器，其特征在于由从下至上依次排列的基底、第一金属光栅、第一绝缘层、掺杂半导体层、第二绝缘层和第二金属光栅组成，所述的掺杂半导体层由并列设置的半导体光栅和传输层组成，所述的第一金属光栅位于所述的传输层的正下方，所述的第二金属光栅位于所述的传输层的正上方，所述的第一金属光栅包括至少两个第一金属栅条，所述的第二金属光栅设置有与所述的第一金属栅条数量相同并一一对应的第二金属栅条，所述的第一金属栅条的尺寸及阵列布置方式与所述的第二金属栅条的尺寸及阵列布置方式相同，所述的半导体光栅设置有与所述的第一金属栅条的数量及阵列布置方式均相同的光栅条。
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