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龙图腾网获悉应用材料以色列公司申请的专利用于半导体样本制造的掩模检查获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116152155B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211464692.6，技术领域涉及：G06T7/00；该发明授权用于半导体样本制造的掩模检查是由A·什卡利姆;D·D·利佛德设计研发完成，并于2022-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于半导体样本制造的掩模检查在说明书摘要公布了：提供了一种用于掩模检查的系统和方法，包括：针对掩模的检查区域，获得多个检查图像和一组参考图像；生成多个缺陷图，所述多个缺陷图各自包括位于相应检查图像的检查区域中的一个或多个候选缺陷；将一个或多个候选缺陷对准到感兴趣候选缺陷DCI列表；针对列表中的至少一个给定DCI，生成对应于多个检查图像的多个差分补块；基于多个差分补块来计算等级；以及将检测阈值应用于所述等级以确定给定DCI是否为感兴趣缺陷DOI。

本发明授权用于半导体样本制造的掩模检查在权利要求书中公布了：1.一种用于检查可用于制造半导体样本的掩模的计算机化系统，所述系统包括处理和存储器电路系统PMC，所述处理和存储器电路系统PMC配置成： 针对所述掩模的检查区域，获得具有至少以所述检查区域重叠的多个视场FOV的多个检查图像，并且针对每个检查图像，获得一组参考图像，所述一组参考图像包括一个或多个对应参考区域中的每个对应参考区域的多个参考图像； 生成对应于所述多个检查图像的多个缺陷图，每个缺陷图包括位于相应检查图像的所述检查区域中的一个或多个候选缺陷，并且对准所述相应检查图像的一个或多个候选缺陷，从而产生感兴趣候选缺陷DCI列表； 针对所述列表中的至少一个给定DCI，生成多个差分补块，其中所述PMC配置成通过以下方式生成与所述多个检查图像中的每个检查图像相对应的差分补块： 分别从所述检查图像和所述一组参考图像提取围绕所述给定DCI的位置的图像补块，从而产生检查补块和一组参考补块； 针对每个参考补块，计算滤波器，所述滤波器优化成使所述检查补块与使用所述滤波器获得的经校正参考补块之间的差异最小化，从而产生对应于所述一组参考补块的一组滤波器和一组经校正参考补块；以及 组合所述一组经校正参考补块以获得复合参考补块，并且将所述检查补块与所述复合参考补块进行比较以获得所述差分补块； 基于所述多个差分补块来计算等级，并且将检测阈值应用于所述等级以确定所述给定DCI是否为感兴趣缺陷DOI。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人应用材料以色列公司，其通讯地址为：以色列瑞哈佛特市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。