买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉成都华芯天微科技有限公司申请的专利基于HTCC工艺的大功率多通道多芯片3D立体封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116247033B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310122189.0，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权基于HTCC工艺的大功率多通道多芯片3D立体封装结构是由吕清刚;许浩;欧乃铭;岳浩然;熊新;邓方科;郑轶设计研发完成，并于2022-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于HTCC工艺的大功率多通道多芯片3D立体封装结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于HTCC工艺的大功率多通道多芯片3D立体封装结构，属于雷达及通信射频前端领域，包括多层陶瓷基板，其与腔体采用HTCC工艺一体化制作；基板正面和或正面腔体内布设有在n个收发通道中输出峰值功率大于3W的第一射频器件，基板反面和或反面腔体内布设有在n个收发通道中输出峰值功率小于等于3W的第二射频器件；基板反面还设有电平转换芯片、或门。将多个收发通道的不同功能、不同输出功率的射频器件分设于基板与腔体的两面并垂直互连，实现了大功率多通道多芯片3D立体封装，提高了封装结构的散热效率，实现了多通道多芯片封装的小型化布局，形成了板级高密度集成的标准化、模块化TR组件。

本发明授权基于HTCC工艺的大功率多通道多芯片3D立体封装结构在权利要求书中公布了：1.一种基于HTCC工艺的大功率多通道多芯片3D立体封装结构，其特征在于：包括基板，开设于基板上的腔体；基板正面和或正面腔体内布设有第一射频器件，第一射频器件为n个收发通道中输出峰值功率大于3W的器件，基板反面和或反面腔体内布设有第二射频器件，第二射频器件为n个收发通道中输出峰值功率小于等于3W的器件；n为大于1的正整数；基板和或腔体上还布设有电源管理芯片； 每个收发通道内的第一射频器件与第二射频器件经基板多层过孔垂直互连，电源芯片与第一射频器件和或第二射频器件互连，并将封装对外的功能接口引至基板底面； 基板正面设有正面盖板，基板反面设有反面盖板，进而实现n个收发通道中器件的封装； 基板反面还设有电平转换芯片、或门，外部控制信号经电平转换芯片转换后传输至射频器件，或门与第一双路电源调制芯片、第二双路电源调制芯片连接，用于实现控制信号的逻辑转换； 所述基板为多层陶瓷基板，多层陶瓷基板与腔体采用HTCC工艺一体化制作。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人成都华芯天微科技有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区天府大道北段1700号3栋3单元12层1207号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。