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电子科技大学李靖获国家专利权

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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种共模及增益可调的全差分衰减器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115664377B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211403042.0,技术领域涉及:H03H11/24;该发明授权一种共模及增益可调的全差分衰减器是由李靖;程名;明平文;张中;于奇;宁宁设计研发完成,并于2022-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

一种共模及增益可调的全差分衰减器在说明书摘要公布了:本发明属于模拟集成电路技术领域,具体为一种共模及增益可调的全差分衰减器。本发明的衰减器结构采用全差分,从而引入了共模反馈点,通过改变共模反馈电路正相输入端的参考电压VREF来调节衰减器的输出共模电压;R1、R2的连接方式,一方面使V1点为交流地,从而增益与MN1和MN2的跨导无关,另一方面又保留了共模反馈环路,从而实现共模电压可调。引入额外的支路为负载管提供电流,通过改变第一电流源I1的电流大小调节输入对管的跨导,改变第二电流源I2和第三电流源I3的大小来调节负载管的跨导,实现增益可调。可调节的输出共模电压和增益使衰减器适用于多种工作环境,全差分结构使抗干扰能力更强,尤其适用于心电信号采集前端。

本发明授权一种共模及增益可调的全差分衰减器在权利要求书中公布了:1.一种共模及增益可调的全差分衰减器,其特征在于: 包括衰减器主体电路和共模反馈电路; 所述衰减器主体电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一电流源I1、第二电流源I2、第三电流源I3、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第一NMOS管MN1和第二NMOS管MN2; 第一电阻R1的一端连接第三PMOS管MP3的漏端,另一端连接第三PMOS管MP3的栅端;第二电阻R2的一端连接第四PMOS的漏端,另一端连接第四PMOS管MP4的栅端; 第一电流源I1的一端与第一PMOS和第二PMOS的源端连接,另一端与电源信号VDD连接;第二电流源I2的一端连接衰减器负相输出端VON,另一端与电源信号VDD连接;第三电流源I3的一端连接衰减器正相输出端VOP,另一端与电源信号VDD连接; 第一PMOS管MP1的栅端作为衰减器正相输入端接正相输入信号VIP,源端连接第一电流源I1,漏端为负相输出端VON;第二PMOS管MP2的栅端作为衰减器负相输入端接负相输入信号VIN,源端连接第一电流源I1,漏端为正相输出端VOP; 第三PMOS管MP3的栅端与漏端分别连接在第一电阻R1的两端,源端连接衰减器负相输出端VON;第四PMOS管MP4的栅端与漏端分别连接在第二电阻R2的两端,源端连接衰减器正相输出端VOP;第三PMOS管MP3与第四PMOS管MP4的栅端连通,R1、R2、MP3和MP4四者的交汇端点为V1; 第一NMOS管MN1的漏端连接第三PMOS管MP3的漏端,第二NMOS管MN2的漏端连接第四PMOS管MP4的漏端;第一NMOS管MN1的栅端与第二NMOS管MN2的栅端相连接,作为共模反馈点,电压为VCMFB;第一NMOS管MN1和第二NMOS管MN2的源端均接地; 衰减器主体电路输出共模电压VOCM连接至共模反馈电路的正相输入端; 所述共模反馈电路采用差分输入,单端输出运放结构;负相输入端连接参考电压VREF,正相输入端连接衰减器主体电路输出的共模电压VOCM,输出端连接第一NMOS管MN1的栅端和第二NMOS管MN2的栅端,输出端的电压为VCMFB。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学,其通讯地址为:611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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