长鑫存储技术有限公司杨杰获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利确定扩散层厚度的方法、测试设备和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115854850B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211404094.X，技术领域涉及：G01B7/06；该发明授权确定扩散层厚度的方法、测试设备和存储介质是由杨杰设计研发完成，并于2022-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本确定扩散层厚度的方法、测试设备和存储介质在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种确定扩散层厚度的方法、测试设备和存储介质，该方法包括：获取PN结中第一半导体的第一掺杂浓度和PN结中第二半导体的第二掺杂浓度；其中，第一掺杂浓度小于第二掺杂浓度；确定PN结的耗尽区等效电阻和体相等效电阻；根据第一掺杂浓度、体相等效电阻和PN结的结面积，确定第一半导体的第一体相长度；根据第一掺杂浓度、第二掺杂浓度和耗尽区等效电阻确定耗尽区长度；根据第一半导体的长度、第一体相长度和耗尽区长度，确定第一半导体的扩散层厚度。本公开实施例能够对PN结中少子的扩散层厚度进行准确测量，进而能够改善结漏电，并准确计算载流子扩散系数。
本发明授权确定扩散层厚度的方法、测试设备和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种确定扩散层厚度的方法，其特征在于，所述方法包括： 获取PN结中第一半导体的第一掺杂浓度和所述PN结中第二半导体的第二掺杂浓度；其中，所述第一掺杂浓度小于所述第二掺杂浓度； 确定所述PN结的耗尽区等效电阻和体相等效电阻； 根据所述第一掺杂浓度、所述体相等效电阻和所述PN结的结面积，确定所述第一半导体的第一体相长度； 根据所述第一掺杂浓度、所述第二掺杂浓度和所述耗尽区等效电阻确定耗尽区长度； 根据所述第一半导体的长度、所述第一体相长度和所述耗尽区长度，确定所述第一半导体的扩散层厚度。
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