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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种基于电阻式存储器的卷积加速运算阵列及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910136B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211398594.7，技术领域涉及：G11C8/08；该发明授权一种基于电阻式存储器的卷积加速运算阵列及其控制方法是由童浩;李鑫;缪向水设计研发完成，并于2022-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于电阻式存储器的卷积加速运算阵列及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于电阻式存储器的卷积加速运算阵列及其控制方法，属于存储器技术领域，其行数为卷积核的大小，列数为将卷积核在待卷积数据D上进行滑动来遍历待卷积数据D时所需的总滑动次数S，字线的总条数为待卷积数据D中元素的总量，位线的总条数为S；每一列上的电阻式存储器单元均连接在同一位线上；通过在每一列上存储卷积核中的所有权重值，并按照每一位线输出一次滑动下的点乘运算结果、且阵列的位线能够同步输出所有点乘运算结果的原则进行计算，确定阵列中各电阻式存储器单元的输入，并将每一行上输入相同的电阻式存储器单元连接在同一条字线上，以确定位线分布；在该位线分布下，卷积加速阵列有更多的输入端口，运算效率较高。

本发明授权一种基于电阻式存储器的卷积加速运算阵列及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种基于电阻式存储器的卷积加速运算阵列，其特征在于，用于对维度相同的待卷积数据D与卷积核进行卷积运算；所述卷积核的大小为K×K×n；将所述卷积核在所述待卷积数据D上进行滑动来遍历所述待卷积数据D时所需的总滑动次数为S；每一次滑动下，所述卷积核覆盖所述待卷积数据D中的一组元素； 所述卷积加速运算阵列包括：呈阵列分布的电阻式存储器单元，其行数为K×K×n、列数为S； 每一列上的电阻式存储器单元均连接在同一位线上，用于存储所述卷积核中的所有权重值； 所述阵列中字线的总条数与所述待卷积数据D中元素的总量相等；所述阵列的每一行上均设置有1条或多条字线；每一行上输入相同的电阻式存储器单元连接在同一条字线上； 所述阵列的K×K×n组行输入从所述待卷积数据D中搜索得到；其中，每一组行输入的获取方式为：从所述待卷积数据D中的任一未搜索过的元素d开始，搜索与其间隔mK-1个元素的元素，并将所有搜索到的元素与所述元素d映射为对应的电压值后构成一组行输入；所述行输入中的各元素的数量为在遍历所述待卷积数据D的过程中其被所述卷积核覆盖的总次数；m为任意正整数； 每一列上的各电阻式存储器单元的输入从其所在的行的行输入中获取，且保证S列上的电阻式存储器单元所存储的权重值与其输入的对应关系与S次滑动下卷积核与其覆盖的元素之间的对应关系一一对应。

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