西安交通大学;陕西半导体先导技术中心有限公司贺永宁获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学;陕西半导体先导技术中心有限公司申请的专利一种电子束辐照检测MOSFET栅氧化层可靠性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115902568B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211386742.3，技术领域涉及：G01R31/265；该发明授权一种电子束辐照检测MOSFET栅氧化层可靠性的方法是由贺永宁;付祥和;陶静;蔡亚辉;赵小龙;彭文博;田鸿昌;何晓宁;李阳善设计研发完成，并于2022-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电子束辐照检测MOSFET栅氧化层可靠性的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电子束辐照检测MOSFET栅氧化层可靠性的方法，包括步骤：1对MOSFET器件进行初始阈值电压测试；2用电子束对上述MOSFET器件进行辐照处理，加速器件老化；3以设定的步长逐渐增加辐照剂量，测试并记录不同辐照剂量后器件的阈值电压；4对MOSFET器件进行负向高温栅偏加速老化，获得在指定高温栅偏加速应力条件A下器件阈值电压偏移量ΔVthA；5根据步骤2得到阈值电压偏移量为ΔVthA所对应的辐照剂量DA；6辐照剂量为DA的电子束辐照加速老化可以用于替负向高温栅偏加速应力条件A对器件进行快速的可靠性测试。本发明可以对MOSFET栅氧层可靠性进行快速检测，应用广泛。
本发明授权一种电子束辐照检测MOSFET栅氧化层可靠性的方法在权利要求书中公布了：1.一种电子束辐照检测MOSFET栅氧化层可靠性的方法，其特征在于，包括以下步骤： 1对MOSFET器件进行阈值电压和栅氧化层电容测试：对器件进行转移特性测试，取设定漏极电流对应的栅极电压作为阈值电压； 2对MOSFET器件进行电子辐照处理，在不同的辐照剂量之后，测试器件的阈值电压； 3以设定的步长逐渐增加辐照剂量，测试并记录不同辐照剂量后器件的阈值电压； 4对MOSFET器件进行负向高温栅偏加速老化，记录在该应力下器件阈值电压随加速老化时间的变化关系，获得在指定高温栅偏加速应力条件A下器件阈值电压偏移量ΔVthA； 5根据步骤2中得到的器件阈值电压随辐照剂量变化关系，得到阈值电压偏移量为ΔVthA所对应的辐照剂量DA； 6辐照剂量为DA的电子束辐照加速老化用于替负向高温栅偏加速应力条件A对器件进行快速的可靠性测试，用于该器件制造过程中的抽检。
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