航天特种材料及工艺技术研究所冯士杰获国家专利权
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龙图腾网获悉航天特种材料及工艺技术研究所申请的专利一种C/HfB2-HfC-Cu复合材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117164370B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211376774.5，技术领域涉及：C04B35/80；该发明授权一种C/HfB2-HfC-Cu复合材料及其制备方法是由冯士杰;张宝鹏;宋环君;杨良伟;陈昊然;杨小健;孙娅楠;李晓东;刘伟;于新民;刘俊鹏设计研发完成，并于2022-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种C/HfB2-HfC-Cu复合材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种CHfB2‑HfC‑Cu复合材料及其制备方法，通过前驱体浸渍裂解PIP与反应熔渗RMI相结合的方法制备CHfB2‑HfC‑Cu复合材料。所述方法首先在碳纤维预制体纤维表面沉积热解碳界面层，然后采用PIP工艺制备多孔低密度CC‑B4C基材，之后在其基础上采用铪铜合金渗剂对多孔低密度CC‑B4C基材进行反应熔渗，得到CHfB2‑HfC‑Cu复合材料。本发明制备温度低，制备得到的复合材料具有优异的抗氧化烧蚀性能。
本发明授权一种C/HfB2-HfC-Cu复合材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种CHfB2-HfC-Cu复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1采用化学气相沉积法在碳纤维预制体的纤维表面沉积热解碳界面层； 2采用碳化硼前驱体溶液浸渍沉积有热解碳界面层的碳纤维预制体，然后进行固化和高温裂解，制备多孔低密度CC-B4C基材； 3采用铪铜合金渗剂对多孔低密度CC-B4C基材进行反应熔渗，制备得到CHfB2-HfC-Cu复合材料。
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