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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利改善场效应管负载的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115841951B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211331531.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权改善场效应管负载的方法是由张佰春设计研发完成，并于2022-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本改善场效应管负载的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善场效应管负载的方法，提供衬底，衬底上形成有浅沟槽隔离以定义出有源区，衬底上的有源区通过离子注入形成有N阱和P阱，衬底上形成有栅极叠层，之后在栅极叠层上形成刻蚀保护层；刻蚀刻蚀保护层及其下方的栅极叠层形成分别位于N阱和P阱上的栅极结构；在衬底上形成覆盖栅极结构的第一硬掩膜层，之后回刻蚀第一硬掩膜层形成第一侧墙结构；形成覆盖第一侧墙结构、栅极结构的保护层，之后利用光刻工艺覆盖NMOS区域，去除PMOS区域的保护层，在栅极结构两侧上的N阱区域形成凹槽，之后去除NMOS区域剩余的保护层。本发明通过提前生长一层刻蚀保护层来避免在后续刻蚀过程中带来的栅极氧化层的消耗，从而改善NFET与PFET之间负载的效果。

本发明授权改善场效应管负载的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善场效应管负载的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有浅沟槽隔离以定义出有源区，所述衬底上的所述有源区通过离子注入形成有N阱和P阱，所述衬底上形成有栅极叠层，之后在所述栅极叠层上形成刻蚀保护层； 步骤二、刻蚀所述刻蚀保护层及其下方的所述栅极叠层形成分别位于所述N阱和所述P阱上的栅极结构；在所述衬底上形成覆盖所述栅极结构的第一硬掩膜层，之后回刻蚀所述第一硬掩膜层形成第一侧墙结构； 步骤三、形成覆盖所述第一侧墙结构、所述栅极结构的保护层，之后利用光刻工艺覆盖NMOS区域，去除PMOS区域的所述保护层，在所述栅极结构两侧上的所述N阱区域形成凹槽，之后去除NMOS区域剩余的所述保护层； 步骤四、形成填充所述凹槽的外延层，之后在所述衬底上形成覆盖所述外延层、所述栅极结构、所述第一侧墙结构的第二、三硬掩膜层，之后回刻蚀所述第二、三硬掩膜层形成第二侧墙结构； 步骤五、在所述衬底上形成覆盖所述外延层、所述栅极结构、所述第二侧墙结构的第一金属层以及位于所述第一金属层上的第二金属层，之后利用退火工艺在所述PMOS区域的有源区上形成金属硅化物； 步骤六、去除所述第一、二金属层以及所述刻蚀保护层。

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