杭州电子科技大学张义坤获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种高熵磁相变合金材料、制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602398B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211325257.5，技术领域涉及：H01F1/01；该发明授权一种高熵磁相变合金材料、制备方法及应用是由张义坤;李领伟;王新华;严密设计研发完成，并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高熵磁相变合金材料、制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高熵磁相变合金材料，化学通式为MnaFebNicCodGeeSifXz；其中X为Cu、Ti、Zr、Ag、Nb、Zn、La、Y、Ce、Pr、Nd、Ga、B、C中的一种或多种，a、b、c、d、e、f、z表示原子摩尔含量，a+b+c+d+e+f+z＝100，且15≤a≤25，8≤b≤18，15≤c≤30，5≤d≤20，8≤e≤18，15≤f≤25、0≤z≤6。本发明还公开了一种高熵磁相变合金材料的制备方法，制备的高熵磁相变合金材料在260K‑360K温度范围内，具有强的磁晶耦合特性。高熵相变合金材料在磁制冷、磁驱动、相变传感、热磁发电中应用。本发明采用上述高熵磁相变合金材料、制备方法及应用，能够解决现有的磁相变材料体系少、工作温区较窄、磁结构耦合不足的问题，具有制备方法简单的优点。
本发明授权一种高熵磁相变合金材料、制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种高熵磁相变合金材料，其特征在于：化学通式为MnaFebNicCodGeeSifXz；其中X为Cu、Ti、Zr、Ag、Nb、Zn、La、Y、Ce、Pr、Nd、Ga、B、C中的一种或多种，a、b、c、d、e、f、z表示原子摩尔含量，a+b+c+d+e+f+z＝100，且18≤a≤22，10≤b≤16，18≤c≤26，8≤d≤18，10≤e≤15，18≤f≤22、0≤z≤3； 高熵磁相变合金材料在260K-360K温度范围内，具有强的磁晶耦合特性。
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