浙江大学杭州国际科创中心张亦舒获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利具有dropout功能的忆阻器件、忆阻器件阵列及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472741B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211295383.0，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权具有dropout功能的忆阻器件、忆阻器件阵列及制造方法是由张亦舒;凡雪蒙设计研发完成，并于2022-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有dropout功能的忆阻器件、忆阻器件阵列及制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种具有dropout功能的忆阻器件、忆阻器件阵列及制造方法。本发明的具有dropout功能的忆阻器件包括逐层依次设置的第一电极、铁电材料层、二维石墨烯材料层、易失性器件电介质层和银电极所形成的垂直异质结构，其中二维石墨烯材料层充当银离子的阻挡层，在二维石墨烯材料层的帮助下，本发明实施例的忆阻器件实现易失性和非易失性动态行为的结合。易失性的银导电丝在易失性器件电介质层中的随机动态生长过程能够抑制潜行电流的同时实现dropout功能，而非易失性的铁电材料层通过铁电极化翻转能够实现高性能的突触可塑性行为。
本发明授权具有dropout功能的忆阻器件、忆阻器件阵列及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种具有dropout功能的忆阻器件，其特征在于，包括： 逐层依次设置的第一电极、铁电材料层、二维石墨烯阻挡层、易失性器件电介质层和银电极所形成的垂直异质结构，其中，所述第一电极、铁电材料层、二维石墨烯材料层的叠层结构作为忆阻器件的突触可塑性功能结构层，所述二维石墨烯材料层、易失性器件电介质层和银电极作为忆阻器件的随机开关功能结构层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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