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龙图腾网获悉斯凯瑞利(北京)科技有限公司申请的专利用于高压隔离的集成芯片、高压隔离器及高压隔离方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116032307B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211297302.0，技术领域涉及：H04B1/40；该发明授权用于高压隔离的集成芯片、高压隔离器及高压隔离方法是由杨沛峰;郑巍;王树甫设计研发完成，并于2022-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于高压隔离的集成芯片、高压隔离器及高压隔离方法在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及隔离电路技术领域，特别涉及一种用于高压隔离的集成芯片、高压隔离器及高压隔离方法。其中，集成芯片包括：两个隔离电容、信号调制单元和信号解调单元；信号调制单元和信号解调单元并联连接形成并联电路，并联电路串联在两个隔离电容之间；当并联电路的输入端接入外部电流源接收到输入信号时，信号调制单元基于输入信号在并联电路的两端生成差分射频信号；信号解调单元用于对并联电路两端的差分射频信号解调，得到还原后的输入信号。因此，本方案的集成芯片同时包括信号调制单元和信号解调单元，既可以作为差分射频信号的发射端，又可以作为差分射频信号的接收端，以解决传统高压隔离器中射频信号的传输效率较低的问题。

本发明授权用于高压隔离的集成芯片、高压隔离器及高压隔离方法在权利要求书中公布了：1.一种用于高压隔离的集成芯片，其特征在于，包括：两个隔离电容、信号调制单元和信号解调单元；信号调制单元和信号解调单元并联连接形成并联电路，所述并联电路串联在两个隔离电容之间； 当所述并联电路的输入端接入外部电流源接收到输入信号时，所述信号调制单元基于所述输入信号在所述并联电路的两端生成差分射频信号； 所述信号解调单元用于对所述并联电路两端的差分射频信号解调，得到还原后的输入信号； 所述信号调制单元包括：负阻模块和与所述负阻模块并联的LC谐振回路；其中，所述LC谐振回路包括电容C1、电感L1和电感L2； 所述电感L1和所述电感L2串联连接，所述电容C1并联在串联连接的所述电感L1和所述电感L2的两端； 所述负阻模块包括：PMOS管M1和PMOS管M2； 所述PMOS管M1和PMOS管M2的栅极分别连接至所述LC谐振回路的两端； 所述PMOS管M1，源极连接至所述PMOS管M2的源极，漏极连接至所述PMOS管M2的栅极与所述LC谐振回路的连接线上； 所述PMOS管M2的漏极连接至所述PMOS管M1的栅极与所述LC谐振回路的连接线上； 所述信号解调单元包括：接收模块、耦合电容C4和耦合电容C5；所述耦合电容C4和所述耦合电容C5用于将所述并联电路两端的差分射频信号耦合至所述接收模块； 所述耦合电容C4，一端连接至所述信号调制单元的一个输出端，另一端连接至所述接收模块； 所述耦合电容C5，一端连接至所述信号调制单元的另一个输出端，另一端连接至所述接收模块； 所述接收模块包括：NMOS管M3和NMOS管M4； 所述NMOS管M3，栅极连接至所述耦合电容C4与偏置电位的连接线上，源极连接至所述耦合电容C5与所述信号调制单元的连接线上，漏极与所述NMOS管M4的漏极连接； 所述NMOS管M4，栅极连接至所述耦合电容C5与偏置电位的连接线上，源极连接至所述耦合电容C4与所述信号调制单元的连接线上。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人斯凯瑞利(北京)科技有限公司，其通讯地址为：100085 北京市海淀区上地东路1号院5号楼403B；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。