吉林大学杜国同获国家专利权
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龙图腾网获悉吉林大学申请的专利一种p-NiO为盖层的光通信波段InN红外光发光二极管和激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115588720B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211245714.X，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种p-NiO为盖层的光通信波段InN红外光发光二极管和激光器及其制备方法是由杜国同;吴国光设计研发完成，并于2022-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种p-NiO为盖层的光通信波段InN红外光发光二极管和激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：一种p‑NiO为盖层的光通信波段InN红外光发光二极管和激光器及其制备方法，属于半导体发光器件及其制备技术领域。器件依次由衬底、n型掺Si的GaN外延下限制层、InN材料有源发光层、p型掺Mg的GaN电子限制层，p‑NiO盖层、上电极和下电极构成。本发明利用了InN材料是窄直接带隙材料，适合于制备应用于光纤通信领域的近红外1.55µm左右的LED和LD的特性，同时利用p‑NiO高空穴浓度、低电阻率、带隙宽和有比GaN材料折射率低，同时又有生长温度很低的特点，可以使器件有良好的空穴注入，同时有良好的光限制和载流子限制，制备出温度特性好的新型的光通信波段红外光发光管和激光器，可拓展器件的应用范围。
本发明授权一种p-NiO为盖层的光通信波段InN红外光发光二极管和激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种p-NiO为盖层的光通信波段InN红外光发光二极管，由下至上依次由衬底（1）、衬底（1）上面制备的GaN缓冲层（12）、GaN缓冲层（12）上制备的n型掺Si的GaN外延下限制层（2）、GaN外延下限制层（2）上面制备的相互分立的不掺杂的InN材料有源发光层（3）和下电极（7）、InN材料有源发光层（3）上面制备的p型掺Mg的GaN电子限制层（4）、GaN电子限制层（4）上面制备的盖层（5）、盖层（5）上面制备的上电极（6）构成，其特征在于：衬底（1）是Al2O3或Si晶体片；盖层（5）是p-NiO，空穴浓度为1.0×1018cm3~9.9×1020cm3；上电极（6）制备成外方内圆的环状结构，光在有源发光层（3）产生后从上电极（6）的内圆处发出。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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