吉林大学杜国同获国家专利权
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龙图腾网获悉吉林大学申请的专利p-NiO为盖层的AlGaN紫外光发光二极管和激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115621390B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211245706.5，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权p-NiO为盖层的AlGaN紫外光发光二极管和激光器及其制备方法是由杜国同;张源涛;邓高强设计研发完成，并于2022-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本p-NiO为盖层的AlGaN紫外光发光二极管和激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：一种p‑NiO为盖层的AlGaN紫外光发光二极管和激光器及其制备方法，属于半导体发光器件及其制备技术领域。器件依次由衬底、AlyGa1‑yN外延下限制层、AlxGa1‑xN材料多量子阱有源发光层、AlzGa1‑zN电子限制层、盖层、上电极和下电极构成；盖层是p‑NiO，空穴浓度可高达1018~1020cm3。本发明利用p‑NiO高空穴浓度、低电阻率和低折射率的特点，可以形成器件的良好空穴注入和对光形成良好限制，具有工作电压低、发光效率高，激光器易室温连续激射等优点，可提供一种比仅用AlGaN材料系波长更短的紫外光发光管和激光器。
本发明授权p-NiO为盖层的AlGaN紫外光发光二极管和激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种p-NiO为盖层的AlGaN紫外光发光二极管，依次由衬底（1）、衬底（1）上面制备的GaN缓冲层（12）、GaN缓冲层（12）上制备的n型掺Si的AlyGa1-yN外延下限制层（2）、AlyGa1-yN外延下限制层（2）上面制备的相互分立的AlxGa1-xN材料多量子阱有源发光层（3）和下电极（7）、AlxGa1-xN材料多量子阱有源发光层（3）上面制备的p型掺Mg的AlzGa1-zN电子限制层（4）、AlzGa1-zN电子限制层（4）上制备的盖层（5）、盖层（5）上面制备的上电极（6）构成，其特征在于：衬底（1）是Al2O3或Si晶体片；盖层（5）是p-NiO，空穴浓度为1×1018cm3~9.9×1020cm3；AlxGa1-xN材料多量子阱有源发光层（3）由阱层Alx1Ga1-x1N和垒层Alx2Ga1-x2N交替构成，x1在0~0.7之间选择，x2值比x1值大0.05~0.2，y值和z值均比x1值大0.1~0.5。
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