西安奕斯伟材料科技有限公司王明获国家专利权
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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技有限公司申请的专利线切割单元、设备、硅片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115609775B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211242378.3，技术领域涉及：B28D5/04；该发明授权线切割单元、设备、硅片及其制造方法是由王明;张舸设计研发完成，并于2022-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本线切割单元、设备、硅片及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了线切割单元、设备、硅片及其制造方法，切割线；彼此间隔开且平行地布置的至少两个线轴，每个线轴上设置有彼此平行且间隔开的多个导引槽，所述切割线依次缠绕在每个线轴的每个导引槽上以形成由横跨所述至少两个线轴并且彼此平行的多个切割线段组成的阵列，所述阵列用于通过沿所述切割线的延伸方向的运动将硅棒一次性切割成多个硅片；其中，所述多个导引槽中的相邻导引槽之间的间距根据所述切割线的形变沿着所述多个切割线段的排列方向按照设定的规律进行设置，使得切割出的所述多个硅片具有一致的厚度。
本发明授权线切割单元、设备、硅片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种线切割单元，其特征在于，所述线切割单元包括： 切割线； 彼此间隔开且平行地布置的至少两个线轴，每个线轴上设置有彼此平行且间隔开的多个导引槽，所述切割线依次缠绕在每个线轴的每个导引槽上以形成由横跨所述至少两个线轴并且彼此平行的多个切割线段组成的阵列，所述阵列用于通过沿所述切割线的延伸方向的运动将硅棒一次性切割成多个硅片； 其中，所述多个导引槽中的相邻导引槽之间的间距根据所述切割线的形变沿着所述多个切割线段的排列方向按照设定的规律进行设置，使得切割出的所述多个硅片具有一致的厚度； 当切割出N个硅片需要设置n个导引槽时，所述相邻导引槽之间的间距通过式1获得： （1）， 其中，代表第n个导引槽与第n-1个导引槽之间的间距，T代表目标硅片厚度，代表切割线的初始直径，代表在切割过程中位于第n个导引槽中的切割线相比于位于第1个导引槽中的切割线的直径变化量； 代表在切割过程中位于第n个导引槽中的切割线相比于位于第1个导引槽中的切割线的所述直径变化量通过式2获得： （2）， 其中，K为实测切割线磨损系数。
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