买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉云南师范大学申请的专利电磁辐射反距离权重延展空间插值方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115526045B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211185280.9，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权电磁辐射反距离权重延展空间插值方法及装置是由段平;李佳;张洁设计研发完成，并于2022-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本电磁辐射反距离权重延展空间插值方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电磁辐射反距离权重延展空间插值方法及装置，其中该方法包括：获取电磁辐射监测区域的不均匀电磁辐射采样数据；根据期望最近邻近距离在采样数据范围内生成规则分布的预设点；根据Ripley’sK方法对所述预设点由外向内分为多个层次；对所述多个层次的预设点采用IDW延展空间插值方法生成每个预设点的电磁辐射值；每个预设点的电磁辐射值用于构建电磁辐射空间场。本发明可以提高IDW插值精度，进而提高非均匀采样点分布的电磁辐射空间场构建的精度。

本发明授权电磁辐射反距离权重延展空间插值方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种电磁辐射反距离权重延展空间插值方法，其特征在于，包括： 获取电磁辐射监测区域的不均匀电磁辐射采样数据； 根据期望最近邻近距离在采样数据范围内生成规则分布的预设点； 根据Ripley’sK方法对所述预设点由外向内分为多个层次，其包括：使用Ripley’sK函数计算出观测K值曲线和预测K值曲线；计算电磁辐射采样数据的最大聚集距离；所述最大聚集距离为观测K值曲线与预测K值曲线的差值为正并且最大所对应的距离；以所述最大聚集距离为标准，将所述规则分布的预设点由外向内分成多层，其中，第一层的预设点包围着第二层的预设点，第二层的预设点包围着第三层的预设点，以此类推； 对所述多个层次的预设点采用IDW延展空间插值方法生成每个预设点的电磁辐射值，其包括：利用电磁辐射采样数据根据IDW方法生成第一层预设点的电磁辐射值；将生成的第一层预设点加入到采样数据中生成新的采样数据；利用新的采样数据根据IDW方法生成第二层预设点的电磁辐射值；每生成一层预设点的电磁辐射值都要加入到采样数据中，用于生成下一层预设点的电磁辐射值，不断重复，直到每一层预设点的电磁辐射值都被计算出来；每个预设点的电磁辐射值用于构建电磁辐射空间场。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人云南师范大学，其通讯地址为：650500 云南省昆明市呈贡区聚贤街768号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。