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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种含点缺陷单层二硫化钼分子动力学模型构建方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115798606B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211172491.9，技术领域涉及：G16C10/00；该发明授权一种含点缺陷单层二硫化钼分子动力学模型构建方法是由佟瑞庭;李士林;王静岩;强宝宝设计研发完成，并于2022-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种含点缺陷单层二硫化钼分子动力学模型构建方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种含点缺陷单层二硫化钼分子动力学模型构建方法，首先通过开源软件LAMMPS构建无缺陷单层二硫化钼分子动力学模型，得到原子坐标；其次，通过分析六种点缺陷二硫化钼的原子缺陷形式得到其缺陷原子间的坐标关系，通过原子间的坐标关系进行编程，得到处理六种点缺陷二硫化钼原子坐标程序，最后，将无缺陷单层二硫化钼原子坐标导入程序中进行操作，得到特定缺陷与特定缺陷浓度的单层二硫化钼分子动力学模型，为在纳米尺度研究单层缺陷二硫化钼各项性能中点缺陷二硫化钼建模提供了参考。

本发明授权一种含点缺陷单层二硫化钼分子动力学模型构建方法在权利要求书中公布了：1.一种含点缺陷单层二硫化钼分子动力学模型构建方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1：根据无缺陷单层MoS2原子排布特点，建立无缺陷单层MoS2原胞模型，根据单层MoS2晶体结构的周期性，对原胞进行扩展建立所需尺寸的无缺陷单层MoS2分子动力学模型，并导出其原子坐标；具体为： 单层MoS2是由S-Mo-S原子构成的三明治结构的平面分子模型，一层Mo原子层位于两层S原子层之间，S原子和Mo原子各自按照六边形对称排列，每个S原子与3个Mo原子之间距离相等，每个Mo原子有6个等距离的S原子环绕；Mo原子层和S原子层间通过共价键结合，其中Mo-S键长为0.241nm，Mo-S-Mo与S-Mo-S的键角均为81.787°，单层MoS2的上层S原子和下层S原子之间的距离为0.3241nm； 根据以上单层MoS2的结构特点，计算出原胞坐标，在开源软件LAMMPS中键入单胞参数，得到MoS2的原胞模型作为可扩展单元，将原胞沿X、Y方向进行扩展，得到所需尺寸的无缺陷单层MoS2分子动力学模型并导出扩展后无缺陷单层MoS2各原子的坐标； 步骤2：根据四种空位点缺陷单层MoS2和两种反位点缺陷单层MoS2的原子缺失形式，分析缺陷原子间的坐标关系，编写算法，对无缺陷单层MoS2的原子坐标进行删除和替换操作，得到所需缺陷浓度的空位和反位点缺陷单层MoS2分子动力学模型；具体为： 步骤2-1：MoS2中四种空位点缺陷单层MoS2的原子缺失形式为： 1单硫原子空位缺陷VS为单层MoS2的上下硫原子层中硫原子的随机缺失； 2对硫原子空位缺陷形式VS2为单层MoS2的上下硫原子层中X、Y坐标相同的成对硫原子的随机缺失； 3单钼原子和周边三硫原子空位缺陷VMoS3为单层MoS2的钼原子与其相紧邻成键的三个同一原子层的硫原子的随机缺失； 4单钼原子和周边六硫原子空位缺陷VMoS6为单层MoS2的钼原子与其相紧邻成键的六个上下层硫原子的随机缺失； 根据以上四种空位点缺陷单层MoS2的原子缺失特点处理步骤1得到的原子坐标数据，得到所需缺陷浓度的空位点缺陷单层MoS2模型；此处缺陷浓度指缺失原子个数与总原子个数的比值； 步骤2-2：两种反位点缺陷单层MoS2的原子替换形式为： 1单钼原子替换对硫原子缺陷MoS2为利用1个钼原子替换上下硫原子层中的X、Y坐标相等的硫原子对，且该钼原子位于被替换硫原子X、Y坐标下的钼原子层； 2对硫原子替换单钼原子缺陷S2Mo为用硫原子对替换钼原子，该硫原子对位于被替换钼原子X、Y坐标下的上下硫原子层； 根据以上两种反位点缺陷单层MoS2的原子替换特点处理步骤1得到的原子坐标数据得到所需缺陷浓度的反位点缺陷单层MoS2模型及其原子坐标；此处缺陷浓度指被替换原子个数与总原子个数的比值。

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