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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种SRAM型FPGA单粒子翻转定向注入方法及恢复方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115563843B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211165387.7，技术领域涉及：G06F30/25；该发明授权一种SRAM型FPGA单粒子翻转定向注入方法及恢复方法是由陈立群;颜露新;杨桂彬;叶俊杰;颜章;钟胜设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SRAM型FPGA单粒子翻转定向注入方法及恢复方法在说明书摘要公布了：本发明属于电子设备可靠性分析领域，具体涉及一种SRAM型FPGA单粒子翻转定向注入方法及恢复方法，包括：得到工程电路的层次区域及脚本文件；创建针对层次区域中感兴趣层次区域的RTL级的用户约束和AREAGROUPs用户约束；生成感兴趣层次区域信息被标记的日志文件；基于上述两个用户约束，布局布线；基于日志文件以及布局布线结果，生成工程电路的基本位文件以及待打翻比特文件；在布局布线后得到的floorplan视图中限定表征FPGA中感兴趣层次区域对应的多组坐标，以求取基本位文件中感兴趣层次区域所对应的基本位行，实现单粒子翻转定向注入，进一步提出基于反熔丝型FPGA以及FLASH恢复方法，方法效率高。

本发明授权一种SRAM型FPGA单粒子翻转定向注入方法及恢复方法在权利要求书中公布了：1.一种SRAM型FPGA单粒子翻转定向注入方法，其特征在于，包括： S1、完成工程电路设计，得到工程电路的层次区域及脚本文件； S2、创建针对所述层次区域中感兴趣层次区域的RTL级的用户约束，用于在布局布线过程中对RTL进行分区，以将感兴趣层次区域与其它区域分开；创建AREAGROUPs的用户约束，用于在布局布线过程中将所述感兴趣层次区域映射入一个或多个AREAGROUP中，并与其它层次区域进行隔断；修改所述脚本文件并运行，以生成所述感兴趣层次区域信息被标记的日志文件； S3、基于所述RTL级的用户约束和所述AREAGROUPs的用户约束，进行布局布线；基于所述日志文件以及所述布局布线的结果，生成所述工程电路的基本位EBD文件以及FPGA的待打翻bit文件； S4、在所述布局布线后得到的floorplan视图中限定多组坐标，表征在FPGA中所述感兴趣层次区域对应的资源所包围的放置块的具体位置；基于FPGA区域和EBD文件行之间存在的线性斜率截距方程关系，利用所述多组坐标求取所述基本位EBD文件中所述感兴趣层次区域所对应的EBD行； S5、打翻所述待打翻bit文件中所述EBD行对应的位置，实现SRAM型FPGA单粒子翻转定向注入。

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