普瑞(无锡)研发有限公司黄慧诗获国家专利权
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龙图腾网获悉普瑞(无锡)研发有限公司申请的专利一种小型发光二极管结构及其制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115472729B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211142693.9,技术领域涉及:H10H20/852;该发明授权一种小型发光二极管结构及其制作方法是由黄慧诗;王锋;杜高云;陈晓冰;张秀敏设计研发完成,并于2022-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种小型发光二极管结构及其制作方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种小型发光二极管结构及其制作方法。本发明包括衬底,所述衬底正面设有外延结构,所述外延结构正面设有透明导电层,所述外延结构的侧面形成有台阶,所述台阶以及透明导电层的正面覆盖有绝缘层,所述绝缘层设有接触区,接触电极通过接触区与透明导电层及外延结构接触,所述绝缘层与接触电极形成间隙区,所述间隙区覆盖有致密绝缘层,所述致密绝缘层覆盖有绝缘反射层,接触电极上方的致密绝缘层和绝缘反射层之间形成用于与焊盘电极接触的通孔区。本发明能够避免在金属制程时引入金属颗粒,降低外延台阶金属吸附导致的漏电或微漏电风险。
本发明授权一种小型发光二极管结构及其制作方法在权利要求书中公布了:1.一种小型发光二极管结构,其特征在于,包括衬底(1),所述衬底(1)正面设有外延结构(2),所述外延结构(2)正面设有透明导电层(3),所述外延结构(2)的侧面形成有台阶(20),所述台阶(20)以及透明导电层(3)的正面覆盖有绝缘层(4),所述绝缘层(4)设有接触区(41),接触电极(5)通过接触区(41)与透明导电层(3)及外延结构(2)接触,所述绝缘层(4)与接触电极(5)形成间隙区,所述间隙区上方覆盖有致密绝缘层(6),所述致密绝缘层(6)覆盖有绝缘反射层(7),接触电极(5)上方的致密绝缘层(6)和绝缘反射层(7)之间形成用于与焊盘电极(8)接触的通孔区; 所述致密绝缘层(6)的侧坡面与衬底(1)正面法线形成的角度小于绝缘反射层(7)的侧坡面与衬底(1)正面法线形成的角度; 所述致密绝缘层(6)为溅射沉积或原子层沉积的SiO2、SiN x 、Al2O3、AlN或由上述材料组成的2层~10层堆垛结构层。
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