上海为旌科技有限公司徐海源获国家专利权
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龙图腾网获悉上海为旌科技有限公司申请的专利多晶片封装互连结构、制作方法和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115425020B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211127906.0，技术领域涉及：H10D80/30；该发明授权多晶片封装互连结构、制作方法和电子设备是由徐海源;李斌设计研发完成，并于2022-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本多晶片封装互连结构、制作方法和电子设备在说明书摘要公布了：本发明涉及芯片封装技术领域，公开了一种多晶片封装互连结构、制作方法和电子设备。其中，多晶片封装互连结构，包括：封装基板，具有内部互连线路；装配体，安装于所述封装基板上，并与所述封装基板互连；所述装配体包括多个转接板和多个晶片，多个所述转接板在所述封装基板主平面的垂直方向上依次排布，多个所述晶片与多个所述转接板交替设置，通过多个所述转接板使多个所述晶片相互连通，形成具有互连界面的多个封装互连层次，实现了一种可以融合多个晶片、具有多个封装互连层次的封装互连结构。
本发明授权多晶片封装互连结构、制作方法和电子设备在权利要求书中公布了：1.多晶片封装互连结构，其特征在于，包括： 封装基板，具有内部互连线路； 装配体，安装于所述封装基板上，并与所述封装基板互连； 所述装配体包括多个转接板和多个晶片，多个所述转接板在所述封装基板主平面的垂直方向上依次排布，多个所述晶片与多个所述转接板交替设置，通过多个所述转接板使多个所述晶片相互连通，形成具有互连界面的多个封装互连层次； 其中，所述转接板包括第一转接板与第二转接板，所述晶片包括第一晶片、第二晶片、第三晶片，所述第一晶片安装在所述第一转接板与所述基板之间，所述第二晶片安装在所述第一转接板与所述第二转接板之间，所述第三晶片安装在所述第二转接板上与所述封装基板相对的一侧； 所述第二转接板与所述封装基板之间安装有承接结构，信号通过所述承接结构从所述封装基板传递到所述第二转接板。
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