山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司袁欣欣获国家专利权
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龙图腾网获悉山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司申请的专利一种ISFET传感器芯片及ISFET传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115639259B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211103276.3，技术领域涉及：G01N27/414；该发明授权一种ISFET传感器芯片及ISFET传感器是由袁欣欣设计研发完成，并于2022-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种ISFET传感器芯片及ISFET传感器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种ISFET传感器芯片及ISFET传感器，应用于传感器芯片技术领域，包括基板，设置于基板的ISFET晶体管、敏感膜和传感器芯片集成电路；基板包括顶层以及顶层下方的中间层；敏感膜位于顶层，ISFET晶体管设置于中间层，敏感膜通过过孔与ISFET晶体管的栅极连接；传感器芯片集成电路设置于中间层，敏感膜至少覆盖部分传感器芯片集成电路。通过将敏感膜设置在基板的顶层，而将ISFET晶体管以及传感器芯片集成电路设置在基板的中间层，使得敏感膜与传感器芯片集成电路在基板中沿厚度方向分布，可以在水平方向上有效减少ISFET传感器芯片的面积，实现ISFET传感器芯片的小型化。
本发明授权一种ISFET传感器芯片及ISFET传感器在权利要求书中公布了：1.一种ISFET传感器芯片，其特征在于，包括基板，设置于所述基板的ISFET晶体管、敏感膜和传感器芯片集成电路；所述基板为多层复合结构，所述基板包括顶层以及所述顶层下方的中间层，所述基板的层与层之间设置有金属层，所述金属层用于设置所述ISFET传感器芯片的结构以及走线； 所述敏感膜位于所述顶层，所述ISFET晶体管设置于所述中间层，所述敏感膜通过过孔与所述ISFET晶体管的栅极连接，以实现所述ISFET晶体管基于所述敏感膜对外界溶液的测量；所述传感器芯片集成电路设置于所述中间层，所述敏感膜至少覆盖部分所述传感器芯片集成电路；所述传感器芯片集成电路与所述ISFET晶体管连接；所述传感器芯片集成电路与所述ISFET晶体管在所述中间层中平行设置。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司，其通讯地址为：250101 山东省济南市自由贸易试验区济南片区浪潮路1036号浪潮科技园S01楼35层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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