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龙图腾网获悉集益威半导体(上海)有限公司申请的专利占空比调节电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115425973B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211058848.0，技术领域涉及：H03M1/10；该发明授权占空比调节电路是由詹三一;李承哲;钟英权设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本占空比调节电路在说明书摘要公布了：本申请公开了一种占空比调节电路，包括：第一和第二时钟传输通道，各自包括若干级反相器，第一级反相器各自接收一路时钟信号；电流调节电路，其包括第一调节支路和第二调节支路，各自包括：第一至第四PMOS晶体管，第一至第三NMOS晶体管，第一至第四PMOS晶体管的源极均连接电源端，第二PMOS晶体管的漏极、第一NMOS晶体管的漏极、以及第一至第三NMOS晶体管的栅极均相连，第一至第三NMOS晶体管的源极均连接地端。该占空比调节电路具有电路结构相对简单，占空比调节能力强，功耗超低等优点。具有电路结构相对简单，占空比调节能力强，功耗超低等优点。

本发明授权占空比调节电路在权利要求书中公布了：1.一种占空比调节电路，其特征在于，包括： 第一时钟传输通道，其包括若干级反相器，第一级反相器接收一路时钟信号； 第二时钟传输通道，其包括若干级反相器，第一级反相器接收另一路时钟信号；和 电流调节电路，其包括第一调节支路和第二调节支路，所述第一和第二调节支路各自包括：第一至第四PMOS晶体管，以及第一至第三NMOS晶体管，其中，所述第一至第四PMOS晶体管的源极均连接电源端，所述第二PMOS晶体管的漏极、所述第一NMOS晶体管的漏极、以及所述第一至第三NMOS晶体管的栅极均相连，所述第一至第三NMOS晶体管的源极均连接地端；其中，所述第一调节支路中，所述第一PMOS晶体管的漏极和所述第一至第四PMOS晶体管的栅极均连接数模转换器的第一输出端，第二NMOS晶体管的漏极连接所述第一时钟传输通道的第二级反相器的输入端，第三NMOS晶体管的漏极连接所述第二时钟传输通道的第三级反相器的输入端，第三PMOS晶体管的漏极连接所述第二时钟传输通道的第二级反相器的输入端，第四PMOS晶体管的漏极连接所述第一时钟传输通道的第三级反相器的输入端；其中，所述第二调节支路中，所述第一PMOS晶体管的漏极和所述第一至第四PMOS晶体管的栅极均连接所述数模转换器的第二输出端，第二NMOS晶体管的漏极连接所述第二时钟传输通道的第二级反相器的输入端，第三NMOS晶体管的漏极连接所述第一时钟传输通道的第三级反相器的输入端，第三PMOS晶体管的漏极连接所述第一时钟传输通道的第二级反相器的输入端，第四PMOS晶体管的漏极连接所述第二时钟传输通道的第三级反相器的输入端。

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