中芯越州集成电路制造(绍兴)有限公司毕建雄获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯越州集成电路制造(绍兴)有限公司申请的专利碳化硅器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115424934B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211043513.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权碳化硅器件及其制备方法是由毕建雄设计研发完成，并于2022-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种碳化硅器件及其制备方法，其中碳化硅器件的制备方法包括：提供基底结构；利用光刻工艺在基底结构上形成图案化的第一掩膜结构；利用图案化的第一掩膜结构在基底结构中形成第一导电类型的第一离子注入层和第一导电类型的第二离子注入层；利用光刻工艺在基底结构上形成图案化的第二掩膜结构；利用图案化的第二掩膜结构在基底结构中形成第一沟槽及第二导电类型的离子注入层；形成隔离层于第一沟槽的侧壁上；利用隔离层在基底结构中形成第二沟槽；形成栅极结构于所述第二沟槽中。本发明提供的碳化硅器件的制备方法能够降低碳化硅器件制备过程中所需的流程时间和成本。
本发明授权碳化硅器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供基底结构； 利用光刻工艺在所述基底结构上形成图案化的第一掩膜结构； 利用所述图案化的第一掩膜结构在所述基底结构中形成第一导电类型的第一离子注入层和第一导电类型的第二离子注入层，所述第一导电类型的第二离子注入层位于所述第一导电类型的第一离子注入层上； 利用光刻工艺在所述基底结构上形成图案化的第二掩膜结构，露出部分所述第一导电类型的第二离子注入层； 利用所述图案化的第二掩膜结构在所述基底结构中形成第一沟槽以及在所述第一沟槽的底部形成第二导电类型的离子注入层，所述第一沟槽自所述第一导电类型的第二离子注入层的表面延伸至所述第一导电类型的第一离子注入层中； 形成隔离层于所述第一沟槽的侧壁上； 利用所述隔离层在所述基底结构中形成第二沟槽，所述第二沟槽与所述第一沟槽连通； 形成栅极结构于所述第二沟槽中； 其中，所述第一导电类型和所述第二导电类型的导电类型相反。
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