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华中科技大学邓勇获国家专利权

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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利基于ADMM网络的反射式荧光分子断层成像方法及系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115311380B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210972936.5,技术领域涉及:G06T11/00;该发明授权基于ADMM网络的反射式荧光分子断层成像方法及系统是由邓勇;刘锴贤;蒋宇轩;李文松设计研发完成,并于2022-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。

基于ADMM网络的反射式荧光分子断层成像方法及系统在说明书摘要公布了:本发明公开一种基于ADMM网络的反射式荧光分子断层成像方法及系统,涉及分子影像技术领域,方法包括:根据待重建反射荧光分布,利用解耦合荧光蒙特卡罗模型构建正向矩阵和训练数据集;利用正向矩阵构建待优化目标函数;对待优化目标函数进行L1正则化处理;利用交替方向乘子法将处理后的待优化目标函数分解成三个子问题;对三个子问题参数化得到参数化ADMM迭代网络;利用训练数据集和损失函数对参数化ADMM迭代网络进行训练和优化,得到ADMM网络;将待重建反射荧光分布输入ADMM网络中,得到重建的荧光团分布。本发明能提高反射式FMT图像重建质量。

本发明授权基于ADMM网络的反射式荧光分子断层成像方法及系统在权利要求书中公布了:1.一种基于ADMM网络的反射式荧光分子断层成像方法,其特征在于,所述方法包括: 获取待重建激发光源扫描面的反射荧光分布; 根据所述待重建激发光源扫描面的反射荧光分布,利用解耦合荧光蒙特卡罗模型构建正向矩阵以及所述正向矩阵对应的训练数据集;所述训练数据集包括不同位置处的真实荧光团分布以及不同位置处的所述真实荧光团分布对应的激发光源扫描面的反射荧光分布; 利用所述正向矩阵构建待优化目标函数; 对所述待优化目标函数进行L1正则化处理,得到处理后的待优化目标函数; 利用交替方向乘子法将所述处理后的待优化目标函数分解成三个子问题;所述三个子问题包括第一子问题、第二子问题和第三子问题; 对所述三个子问题参数化得到参数化ADMM迭代网络; 利用所述训练数据集和损失函数对所述参数化ADMM迭代网络进行训练和优化,得到ADMM网络; 将所述待重建激发光源扫描面的反射荧光分布输入所述ADMM网络中,得到所述待重建激发光源扫描面的反射荧光分布对应的荧光团分布。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人华中科技大学,其通讯地址为:430070 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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